公开(公告)号：CN110275327B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910552586.5

申请日：2019-06-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙树林 ,  李小二 ,  王卓 ,  董少华 ,  易思雄 ,  段静文 ,  管福鑫 ,  陈宜臻 ,  何琼 ,  周磊

IPC: G02F1/01 ,  H01Q15/00

Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域，具体为圆偏光入射下手性依赖的表面等离激元波前调控器。本发明的耦合调控器由激发区域和拼接在激发区域左右两侧的结构相同的两个本征区域组成；对于圆偏光能实现SPP高效率耦合的同时实现对SPP波前手性依赖的调控；对于圆偏光为左旋情形，对SPP波面实现点聚焦调控；对于圆偏光为右旋情形，对SPP波面实现波束偏折调控；其中原胞为“金属微结构/电介质/金属衬底”三明治结构，所述本征区域，为“电介质/金属衬底结构”。本发明具有结构简单、功能集成、超高效率、波前独立可调等众多优点，对基于芯片上的近场调控具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN106684569A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610752269.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段静文 ,  郭会杰 ,  董少华 ,  何琼 ,  周磊 ,  孙树林

IPC: H01Q15/08

CPC classification number: H01Q15/08

Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域，具体为同时支持TE表面波和TM表面波的本征电磁特异介质超表面。本发明的超表面由特异介质单元经二维无限周期拓展而得到；所述特异介质单元是一种“空气/金属微结构/电介质/金属衬底” 三明治结构体系，具有镜面对称性；通过调节金属微结构的尺寸，调节磁共振的频率或者调节磁磁导率，使TE SW和TM SW色散曲线在工作频率处相交，实现在工作频率处同时支持横电表面波和横磁表面的功能。本发明既可以单独导引TE SW或者TM SW，又可以同时导引TE SW和TM SW，并且通过调控激发模块TE SW和TM SW比例，在设计的本征电磁特异介质超表面上合成各种偏振态SW模式，以有利于操控对手性敏感的光与物质相互作用过程。

公开(公告)号：CN110275327A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910552586.5

申请日：2019-06-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙树林 ,  李小二 ,  王卓 ,  董少华 ,  易思雄 ,  段静文 ,  管福鑫 ,  陈宜臻 ,  何琼 ,  周磊

IPC: G02F1/01 ,  H01Q15/00

Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域，具体为圆偏光入射下手性依赖的表面等离激元波前调控器。本发明的耦合调控器由激发区域和拼接在激发区域左右两侧的结构相同的两个本征区域组成；对于圆偏光能实现SPP高效率耦合的同时实现对SPP波前手性依赖的调控；对于圆偏光为左旋情形，对SPP波面实现点聚焦调控；对于圆偏光为右旋情形，对SPP波面实现波束偏折调控；其中原胞为“金属微结构/电介质/金属衬底”三明治结构，所述本征区域，为“电介质/金属衬底结构”。本发明具有结构简单、功能集成、超高效率、波前独立可调等众多优点，对基于芯片上的近场调控具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN106168688B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201610815676.5

申请日：2016-09-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段静文 ,  郭会杰 ,  董少华 ,  何琼 ,  周磊 ,  孙树林

IPC: G02B5/00

Abstract: 本发明属于表面等离激元耦合器技术领域，具体为一种圆偏光入射下耦合方向可调的表面等离激元耦合器。本发明耦合器由两个相同结构和大小的本征区域拼接在激发区域的左右两边而组成；本发明利用PB几何相位原理构造出梯度超表面作为激发区域，它对入射圆偏光总波矢的反射相位梯度,从而将入射波变为SW(表面波)；同时设计与激发SW模式相匹配的本征区域，使得激发区域形成的SW能高效的导引到本征区域形成传播SPP。基于几何相位原理的反射相位梯度的方向依赖于入射圆偏光的手性，该装置在SPP耦合方向可调，模拟耦合效率约90%，实验耦合效率约85%，SPP耦合方向的手性依赖性质得以验证。相较传统SPP耦合装置，本发明具有系统简单、效率高、方向可调等优点。

公开(公告)号：CN106168688A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610815676.5

申请日：2016-09-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段静文 ,  郭会杰 ,  董少华 ,  何琼 ,  周磊 ,  孙树林

IPC: G02B5/00 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B5/008 ,  G02B6/1226

Abstract: 本发明属于表面等离激元耦合器技术领域，具体为一种圆偏光入射下耦合方向可调的表面等离激元耦合器。本发明耦合器由两个相同结构和大小的本征区域拼接在激发区域的左右两边而组成；本发明利用PB几何相位原理构造出梯度超表面作为激发区域，它对入射圆偏光总波矢的反射相位梯度,从而将入射波变为SW(表面波)；同时设计与激发SW模式相匹配的本征区域，使得激发区域形成的SW能高效的导引到本征区域形成传播SPP。基于几何相位原理的反射相位梯度的方向依赖于入射圆偏光的手性，该装置在SPP耦合方向可调，模拟耦合效率约90%，实验耦合效率约85%，SPP耦合方向的手性依赖性质得以验证。相较传统SPP耦合装置，本发明具有系统简单、效率高、方向可调等优点。