圆偏光入射下手性依赖的表面等离激元波前调控器

    公开(公告)号:CN110275327A

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201910552586.5

    申请日:2019-06-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域,具体为圆偏光入射下手性依赖的表面等离激元波前调控器。本发明的耦合调控器由激发区域和拼接在激发区域左右两侧的结构相同的两个本征区域组成;对于圆偏光能实现SPP高效率耦合的同时实现对SPP波前手性依赖的调控;对于圆偏光为左旋情形,对SPP波面实现点聚焦调控;对于圆偏光为右旋情形,对SPP波面实现波束偏折调控;其中原胞为“金属微结构/电介质/金属衬底”三明治结构,所述本征区域,为“电介质/金属衬底结构”。本发明具有结构简单、功能集成、超高效率、波前独立可调等众多优点,对基于芯片上的近场调控具有巨大的应用潜力。

    圆偏光入射下手性依赖的表面等离激元波前调控器

    公开(公告)号:CN110275327B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201910552586.5

    申请日:2019-06-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域,具体为圆偏光入射下手性依赖的表面等离激元波前调控器。本发明的耦合调控器由激发区域和拼接在激发区域左右两侧的结构相同的两个本征区域组成;对于圆偏光能实现SPP高效率耦合的同时实现对SPP波前手性依赖的调控;对于圆偏光为左旋情形,对SPP波面实现点聚焦调控;对于圆偏光为右旋情形,对SPP波面实现波束偏折调控;其中原胞为“金属微结构/电介质/金属衬底”三明治结构,所述本征区域,为“电介质/金属衬底结构”。本发明具有结构简单、功能集成、超高效率、波前独立可调等众多优点,对基于芯片上的近场调控具有巨大的应用潜力。

    基于梯度超表面的电磁波完美吸收和异常偏折双功能器件

    公开(公告)号:CN110165416B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201910552466.5

    申请日:2019-06-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域,具体为一种基于梯度超表面的电磁波完美吸收和异常偏折双功能器件。本发明的双功能器件是一种电磁特异介质超表面,由特异介质单元即原胞沿轴方向轴方向二维延拓得到;特异介质单元为“金属微结构/电介质/金属衬底”三明治结构体系,介质层的厚度和介电常数之间满足特定的关系;引入针对于圆偏入射光的反射相位梯度、入射角这个自由度,通过设计反射相位梯度和工作频率,以实现特定角度完美吸收和特定角度异常偏折双功能。本发明利用几何相位机理,将各种偏振的电磁波均转化为表面波并将其吸收,具有偏振不依赖、体系超薄、设计简单等优点。

    基于梯度超表面的电磁波完美吸收和异常偏折双功能器件

    公开(公告)号:CN110165416A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910552466.5

    申请日:2019-06-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电磁特异介质超表面技术领域,具体为一种基于梯度超表面的电磁波完美吸收和异常偏折双功能器件。本发明的双功能器件是一种电磁特异介质超表面,由特异介质单元即原胞沿轴方向轴方向二维延拓得到;特异介质单元为“金属微结构/电介质/金属衬底”三明治结构体系,介质层的厚度和介电常数之间满足特定的关系;引入针对于圆偏入射光的反射相位梯度、入射角这个自由度,通过设计反射相位梯度和工作频率,以实现特定角度完美吸收和特定角度异常偏折双功能。本发明利用几何相位机理,将各种偏振的电磁波均转化为表面波并将其吸收,具有偏振不依赖、体系超薄、设计简单等优点。

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