表面嫁接有机共轭分子的半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN100411220C

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200510024436.5

    申请日:2005-03-17

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及一种通过硅烷偶联剂在半导体表面上嫁接有机共轭分子而获得的改性导体材料,利用含不同功能基团的硅烷偶联剂作为“分子桥梁”,硅烷偶联剂一端与半导体表面以共价键相连,另一端保留的亲有机官能团与经过修饰的有机共轭分子反应,从而在半导体表面上嫁接有机分子,使无机半导体和有机分子形成良好结合。本发明材料可适用于薄膜晶体管、电致发光、生物传感、化学和生物检测等功能器件。

    表面嫁接有机共轭分子的半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1700488A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200510024436.5

    申请日:2005-03-17

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及一种通过硅烷偶联剂在半导体表面上嫁接有机共轭分子而获得的改性导体材料,利用含不同功能基团的硅烷偶联剂作为“分子桥梁”,硅烷偶联剂一端与半导体表面以共价键相连,另一端保留的亲有机官能团与经过修饰的有机共轭分子反应,从而在半导体表面上嫁接有机分子,使无机半导体和有机分子形成良好结合。本发明材料可适用于薄膜晶体管、电致发光、生物传感、化学和生物检测等功能器件。

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