一种常温制备高导热石墨烯薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110104632B

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201910277061.5

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种常温制备高导热石墨烯薄膜的方法。本发明将大尺寸的石墨烯片和小尺寸石墨烯片混合得到配好的氧化石墨烯溶液,之后利用湿纺与氢碘酸制备还原氧化石墨烯薄膜。该方法得到的还原氧化石墨烯不需要经过高温热处理就具有相当优秀的热导率,且可以根据需要在一定范围内调整产品的热导率。该发明具有合成工艺相对简单,成本低廉的特点,与此同时,该发明为将石墨烯应用于散热材料领域提供了一种全新的研究方向:通过调节尺寸分布来改良石墨烯薄膜产品内部的缺陷来提高热导率,而不是耗费成本去高温热处理消除缺陷,为石墨烯在该集成电路热管理方向的应用提供了更加广阔的前景。

    一种低功耗无线接收机射频前端电路

    公开(公告)号:CN101183878B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200710172617.1

    申请日:2007-12-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 李巍 杨光

    Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域,具体为一种低功耗无线接收机射频前端电路。它由射频输入匹配网络、放大级、桥接变压器、LO开关级和IF中频负载及电流源偏置组成。其中射频输入匹配网络做天线与放大级之间的阻抗匹配,放大级进行信号的放大,桥接变压器将放大后的信号传递给LO开关级并实现前后级的直流隔离,LO开关级使RF电流信号与LO信号进行混频并在输出差分负载上交替输出中频IF信号。该电路结构与传统的射频前端电路相比,可使用片上集成变压器或片上电感进行输入匹配,利用片上集成变压器将RF信号的放大与下混频有机结合起来,简化了电路结构。该电路适用于低电源电压环境,直流功耗低,并能显著减小电路噪声和信号失真。

    一种常温制备高导热石墨烯薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110104632A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910277061.5

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种常温制备高导热石墨烯薄膜的方法。本发明将大尺寸的石墨烯片和小尺寸石墨烯片混合得到配好的氧化石墨烯溶液,之后利用湿纺与氢碘酸制备还原氧化石墨烯薄膜。该方法得到的还原氧化石墨烯不需要经过高温热处理就具有相当优秀的热导率,且可以根据需要在一定范围内调整产品的热导率。该发明具有合成工艺相对简单,成本低廉的特点,与此同时,该发明为将石墨烯应用于散热材料领域提供了一种全新的研究方向:通过调节尺寸分布来改良石墨烯薄膜产品内部的缺陷来提高热导率,而不是耗费成本去高温热处理消除缺陷,为石墨烯在该集成电路热管理方向的应用提供了更加广阔的前景。

    一种低功耗无线接收机射频前端电路

    公开(公告)号:CN101183878A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710172617.1

    申请日:2007-12-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 李巍 杨光

    Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域,具体为一种低功耗无线接收机射频前端电路。它由射频输入匹配网络、放大级、桥接变压器、LO开关级和IF中频负载及电流源偏置组成。其中射频输入匹配网络做天线与放大级之间的阻抗匹配,放大级进行信号的放大,桥接变压器将放大后的信号传递给LO开关级并实现前后级的直流隔离,LO开关级使RF电流信号与LO信号进行混频并在输出差分负载上交替输出中频IF信号。该电路结构与传统的射频前端电路相比,可使用片上集成变压器或片上电感进行输入匹配,利用片上集成变压器将RF信号的放大与下混频有机结合起来,简化了电路结构。该电路适用于低电源电压环境,直流功耗低,并能显著减小电路噪声和信号失真。

    一种低功耗高性能正交下混频器

    公开(公告)号:CN101202533A

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200710172618.6

    申请日:2007-12-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 李巍 杨光

    Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域,具体为一种低功耗高性能正交下混频器。它由射频RF转换变压器、正交本振LO开关级、中频IF负载级和电流源偏置组成。其中RF转换变压器将接收到的RF电流信号进行放大传递,正交LO开关级使RF电流信号以相位差为90度的LO频率在输出差分负载上交替输出,从而实现RF频率与正交LO频率相乘后得到的正交IF信号在负载上的输出。该电路结构与传统的基尔伯特混频器相比,用片上集成变压器代替了RF放大级的差分晶体管,可使该混频器适用于低电源电压并显著减小电路噪声和信号失真;将两路正交的LO开关级合并在一个电路中,可使该混频器同时输出正交中频IF信号,简化了无线接收机的设计,并显著降低了混频器模块的功耗。

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