一种表面羟基化MXene及其制备与应用

    公开(公告)号:CN117285039A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311242097.2

    申请日:2023-09-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及二维光电红外探测器技术领域,尤其是涉及一种表面羟基化MXene及其制备与应用。本发明提供的表面羟基化MXene的制备方法,利用不同浓度的完全电离强碱溶液,可控改变了二维材料MXene表面吸附基团的种类及含量,相较于溶液法直接制备的MXene表面复杂的基团环境,本发明提供的二维材料MXene表面实现了均一的羟基化基团,实现了二维材料MXene的能带及电子结构可控调制,具有良好的尺寸均匀度以及平整度,具备搭建半导体红外探测器件的要求。可利用二维材料转移、电极蒸镀及光刻技术,实现MXene红外探测器的搭建。MXene片层表面基团的均一化使得二维MXene的能带间隙可调,电子结构可调,极大丰富了MXene基半导体红外探测器的功能性及应用场景。

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