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公开(公告)号：CN119555120A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411450075.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 复旦大学
IPC: G01D5/24 , H03K17/687 , G06F18/21
Abstract: 本发明属于电子信息传感技术领域，具体为一种双晶体管集成压电电容双模式传感器及其识别接近和接触信号方法。本发明双模式传感器由两个场效应晶体管与压电电容组合构成，压电电容作为接近和接触信号的传感端，用于对接近/接触双模式传感器工作过程中接近和接触信号进行识别；压电电容的顶电极和底电极分别与两个场效应晶体管的栅极电连接，两个场效应晶体管源极接地，漏极接直流偏压，源漏电流由电流测量设备测量并记录。工作过程中，通过比较两个晶体管接近传感与接触传感源漏电流信号响应规律的差异，实现接近传感和接触传感信号的有效区分。
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公开(公告)号：CN114280674B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111583143.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于静电感应机制的多点接近传感网络系统。本发明系统包括：直流电压源、电流表、晶体管、带有屏蔽层的信号线；电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的沟道电流；信号线根据传感位置要求排列，在需要接近传感探测的位置处部分地破开屏蔽层，暴露出内部的信号线作为传感端；所有屏蔽层均接地，所有内部信号线与晶体管的栅端电连接。当待测物体在任何传感端处靠近或远离时，静电感应作用导致晶体管栅极上感应电势变化，从而确认待测物体的靠近。本发明仅采用一个晶体管结合合理的布线设计，即可实现具有多点传感功能的网络结构，避免了采用多个晶体管实现多点传感的方案的不足。
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公开(公告)号：CN112885722A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110027507.6
申请日：2021-01-10
Applicant: 复旦大学 , 橙河微系统科技(上海)有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/10
Abstract: 本发明属于电子器件制备领域，具体为一种基于微区电化学刻蚀的晶体管沟道及源漏电极的制备方法。本发明方法结合电化学原理及微区自限域加工技术，具体利用装有电解液的微管在基底的特定区域形成一个弯液面，通过在电解液和基底导电金属层间施加电压并使针管相对基底按规划好的路径和速度移动来制备图案化的电极。本发明通过高效灵活地控制金属材料的微区电化学刻蚀，有效解决了现有掩模电极制造工艺（如光刻和真空蒸镀）中工艺复杂、成本高或分辨率低的问题，对实验室研究与工业生产具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110780466B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910974554.4
申请日：2019-10-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/00 , G02F1/1335 , G02F1/13363 , G09G3/36
Abstract: 本发明属于导波光学技术领域，具体为一种强度可电调节的表面倏逝波场装置。本发明装置包括：耦合棱镜，电控双折射液晶盒，交流电信号驱动器，以及准直激光光源；电控双折射液晶盒由上、下两块基板对合封装组成；上、下基板的表面镀制有功能薄膜：透明ITO导电膜层、液晶定向层，液晶灌注于两液晶定向层之间；耦合棱镜与液晶盒的下基板处贴合；交流电信号驱动器与液晶盒中的上下两透明ITO导电膜层连接；所述准直激光光源发出的准直激光束从耦合棱镜的一个斜边入射，在液晶盒的上基板外层产生可电调节的表面倏逝波场。倏逝场的强度最高增强范围可达到多个数量级。本装置在表面显微测量，生物学，表面化学，显微光谱等领域有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN111663121A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010409221.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于化学镀工艺的金属微纳三维打印装置和方法。本发明装置由中空微管、固定支架、手动调节台、电控调节台、光学显微镜、电脑等组成。中空微管尖端直径决定了打印图案的线条精度。通过电脑控制电控位移台按照预设图案带动微管和试样表面间液柱的移动，实现图案的写入。本发明包括两种基于化学镀的金属微纳三维图案打印方法，一是先在试样表面上用敏化液直写出预设的微纳结构，然后用常规化学镀工艺实现金属层沉积；二是先在试样表面大面积沉积敏化层，然后将化学镀液直写到沉积有敏化层的试样表面，实现微纳结构的金属层沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106863859B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710003101.8
申请日：2017-01-04
Applicant: 复旦大学
IPC: B29D7/01
Abstract: 本发明属于电子材料和器件技术领域，具体为一种制备高度取向聚偏二氟‑三氟乙烯共聚物薄膜的方法。本发明方法是基于可移除聚四氟乙烯有序模板的，即在特定温度范围(149℃‑330℃)内，将PTFE模板紧压在铁电聚合物薄膜上，所施加压强范围介于0.5‑10MPa，压强持续时间至少10分钟；随后待温度降至室温后，将压强撤去，将PTFE模板剥离，即可获得高度有序外延生长的铁电聚合物薄膜。本发明实现了低漏电、高铁电性能铁电薄膜的制备，从而可应用于低功耗、低工作电压要求的铁电电子器件中。
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公开(公告)号：CN116400419A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310300054.9
申请日：2023-03-26
Applicant: 复旦大学
Inventor： 朱国栋
Abstract: 本发明属于电子技术信息传感技术领域，具体为一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法。将压电电容与晶体管结合构建压电晶体管器件实现接近传感与接触传感二合一功能集成。然而压电晶体管工作时无法有效区分传感信号来源。本发明提出结合双栅晶体管与压电电容构建具有拓展栅结构的双栅压电晶体管接近/接触双模式传感器件，压电电容作为接近和接触信号的传感端。压电电容器件顶电极与双栅晶体管栅极电连接且两者通过开关电路与地连接，压电电容器件的另一电极则与晶体管另一栅极连接。通过开关电路周期性开/关过程中接近传感与接触传感源漏电流信号响应规律的差异，实现接近传感和接触传感信号的有效区分。
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公开(公告)号：CN112687799B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011510746.9
申请日：2020-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/34 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。
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公开(公告)号：CN114280674A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111583143.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于静电感应机制的多点接近传感网络系统。本发明系统包括：直流电压源、电流表、晶体管、带有屏蔽层的信号线；电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的沟道电流；信号线根据传感位置要求排列，在需要接近传感探测的位置处部分地破开屏蔽层，暴露出内部的信号线作为传感端；所有屏蔽层均接地，所有内部信号线与晶体管的栅端电连接。当待测物体在任何传感端处靠近或远离时，静电感应作用导致晶体管栅极上感应电势变化，从而确认待测物体的靠近。本发明仅采用一个晶体管结合合理的布线设计，即可实现具有多点传感功能的网络结构，避免了采用多个晶体管实现多点传感的方案的不足。
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