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公开(公告)号：CN105070823A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510469367.2
申请日：2015-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体传感器技术领域，具体为一种压力传感器件及其制备方法。本发明的压力传感器件包括至少一个场效应晶体管、一个压电控制栅；所述场效应晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管；所述压电控制栅包括压电薄膜、压电薄膜的上表面电极、压电薄膜的下表面电极、介于所述场效应晶体管栅极与压电薄膜的下表面电极之间的连接电极。本发明所提出的压力传感器件用作压力信号的感知，具有制作工艺简单、单元面积小、芯片集成度高、对压力的灵敏度高等特点。
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