公开(公告)号：CN104241245A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410468397.7

申请日：2014-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  朱宝 ,  张秋香

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极，以原子层淀积(ALD)的Al2O3/ZrO2/SiO2/ZrO2/Al2O3叠层为绝缘层。其中，两个Al2O3单层的厚度相等，两个ZrO2单层的厚度相等。该对称叠层结构的绝缘层设计有利于获得电容密度高、电容的电压线性度好、漏电流密度低的高性能MIM电容，是下一代射频和模拟/混合集成电路理想的候选方案。

公开(公告)号：CN104241245B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410468397.7

申请日：2014-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  朱宝 ,  张秋香

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极，以原子层淀积(ALD)的Al2O3/ZrO2/SiO2/ZrO2/Al2O3叠层为绝缘层。其中，两个Al2O3单层的厚度相等，两个ZrO2单层的厚度相等。该对称叠层结构的绝缘层设计有利于获得电容密度高、电容的电压线性度好、漏电流密度低的高性能MIM电容，是下一代射频和模拟/混合集成电路理想的候选方案。