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公开(公告)号：CN103094833A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310050363.1
申请日：2013-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明属于半导体激光器技术领域，具体为一种基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光器驱动电路。其组成包括：外置的高压可调直流电源，由激光二极管、储能电容器、雪崩晶体管组成的充放电回路，可编程延时器，雪崩晶体管驱动电路；充放电回路中，雪崩晶体管的发射极通过取样电阻接地，集电极连接储能电容器，储能电容器另一端连接激光二极管负极，激光二极管正极接地；本发明采用电容经过雪崩管快速对激光二极管放电的方式产生快的驱动电流得到快的光脉冲，脉冲电流上升沿小于5ns，脉宽20ns至1us，峰值10A至100A连续可调。在电路中包含精密延时器件，适用于需要精确同步的多路触发装置中。
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公开(公告)号：CN100366744C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510029696.1
申请日：2005-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12N15/82 , C12Q1/68
Abstract: 本发明提供了一种在蝴蝶兰中表达的花发育相关的MADS-box基因(pPI15)的编码序列及其在改变植物花的形态和育性上的应用。本发明涉及包含上述基因的重组表达载体。还涉及所说的表达载体转化植物细胞，以及由转化细胞产生的所说基因的转基因植物。本发明将所说基因在植物中表达，所获得的转基因植物花型较野生小且雄性不育。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1769457A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510029696.1
申请日：2005-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12N15/82 , C12Q1/68
Abstract: 本发明提供了一种在蝴蝶兰中表达的花发育相关的MADS－box基因(pP115)的编码序列及其在改变植物花的形态和育性上的应用。本发明涉及包含上述基因的重组表达载体。还涉及所说的表达载体转化植物细胞，以及由转化细胞产生的所说基因的转基因植物。本发明将所说基因在植物中表达，所获得的转基因植物花型较野生小且雄性不育。
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公开(公告)号：CN101250532A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710047183.2
申请日：2007-10-18
Applicant: 复旦大学
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12Q1/68 , C12N15/82
Abstract: 本发明属于分子生物学、基因工程技术领域，具体为一种在蝴蝶兰中表达的AGAMOUS－like基因家族的PhAGCu基因的核苷酸编码序列及其在改变花发育，成花转变和形态构建方面的应用。本发明涉及的蝴蝶兰PhAGCu基因具有特定序列的DNA分子，全长950bp，包括一个717bp开放读框，其核苷酸序列为SEQ ID NO.1。本发明还包含上述基因的重组表达载体，转基因植株，获得此基因的核苷酸引物系列，用于检测内源表达模式的寡核苷酸探针序列，以及对蝴蝶兰此内源基因的表达模式进行分析鉴定的方法。将本发明所说基因转入烟草，所获得的转基因植株的花的形状及结的种子都发生明显变化，表明该基因可影响植株有性器官的发育。
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公开(公告)号：CN101250532B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710047183.2
申请日：2007-10-18
Applicant: 复旦大学
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12Q1/68 , C12N15/82
Abstract: 本发明属于分子生物学、基因工程技术领域，具体为一种在蝴蝶兰中表达的AGAMOUS-like基因家族的PhAGCu基因的核苷酸编码序列及其在改变花发育，成花转变和形态构建方面的应用。本发明涉及的蝴蝶兰PhAGCu基因具有特定序列的DNA分子，全长950bp，包括一个717bp开放读框，其核苷酸序列为SEQ ID NO.1。本发明还包含上述基因的重组表达载体，转基因植株，获得此基因的核苷酸引物系列，用于检测内源表达模式的寡核苷酸探针序列，以及对蝴蝶兰此内源基因的表达模式进行分析鉴定的方法。将本发明所说基因转入烟草，所获得的转基因植株的花的形状及结的种子都发生明显变化，表明该基因可影响植株有性器官的发育。
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公开(公告)号：CN203242917U
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201320072210.2
申请日：2013-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01S5/042
Abstract: 本实用新型属于半导体激光器技术领域，具体为一种基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光器驱动电路。其组成包括：外置的高压可调直流电源，由激光二极管、储能电容器、雪崩晶体管组成的充放电回路，可编程延时器，雪崩晶体管驱动电路；充放电回路中，雪崩晶体管的发射极通过取样电阻接地，集电极连接储能电容器，储能电容器另一端连接激光二极管负极，激光二极管正极接地；本实用新型采用电容经过雪崩管快速对激光二极管放电的方式产生快的驱动电流得到快的光脉冲，脉冲电流上升沿小于5ns，脉宽20ns至1us，峰值10A至100A连续可调。在电路中包含精密延时器件，适用于需要精确同步的多路触发装置中。
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公开(公告)号：CN203054147U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201220714982.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/02 , G01R31/327
Abstract: 本实用新型属于开关器件测试技术领域，具体为一种激光二极管触发的光导开关导通性能测试装置。本实用新型包含高压偏置源、激光二极管驱动、同步控制系统、光导开关检测电路系统和光导开关检测平台。通过同步控制系统控制偏压与驱动的同步性，通过光学平台控制激光二极管与光导开关的相对触发位置。本实用新型适用于实验室及研究所以及制造测试光导开关的厂家。
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