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公开(公告)号：CN116090394A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211725698.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F117/02 , G06F119/02 , G06F111/08 , G06F111/04
Abstract: 本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种考虑TAP CELL对单粒子效应影响的版图布局方法；本发明的集成电路抗单粒子效应加固方法适用于使用TAP CELL作为衬底接触的体硅工艺。该加固方法主要利用了标准单元的单粒子效应敏感性会随着其与TAP CELL间距变化而变化的特性。其先通过网表级分析，得到每个标准单元的软错误率，然后在电路布局时，通过调整不同单元的位置来减小电路整体的软错误率。本发明与原有的集成电路工艺流程相兼容，具有较高的灵活性，能够在不增加面积开销的情况下减少电路整体的软错误率。
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