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公开(公告)号：CN111681964A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010445564.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/772 , H01L23/544 , H01L49/02
Abstract: 本发明属于二维材料技术领域，具体为一种基于二维材料的器件的制备方法。本发明方法使用含有迷宫型源漏电极图案的标记版，在目标衬底上一步形成标记和迷宫型源漏电极，然后将二维材料转移至目标衬底上，从而可简单高效的制备出基于二维材料的器件，且适用于任何衬底的器件制备；所述器件包括场效应晶体管、电阻和电容等。
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