公开(公告)号：CN111681964A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010445564.1

申请日：2020-05-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 杨慧 ,  崔四维 ,  张一飞 ,  方晓生 ,  吴东平

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/772 ,  H01L23/544 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明属于二维材料技术领域，具体为一种基于二维材料的器件的制备方法。本发明方法使用含有迷宫型源漏电极图案的标记版，在目标衬底上一步形成标记和迷宫型源漏电极，然后将二维材料转移至目标衬底上，从而可简单高效的制备出基于二维材料的器件，且适用于任何衬底的器件制备；所述器件包括场效应晶体管、电阻和电容等。

公开(公告)号：CN111307913A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010233048.2

申请日：2020-03-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 崔四维 ,  孙鹏

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明属于半导体离子传感器技术领域，具体为一种无参比电极半导体离子传感器及其制备方法。本发明传感器是对现有无参比电极半导体离子传感器的改进，具体是对覆盖在一对叉指电极上的敏感膜进行改进：其中一个叉指电极上的敏感膜为高敏感度敏感膜，另一个叉指电极上的敏感膜为低敏感度敏感膜，形成一对对待测物的离子活度灵敏度不同的敏感膜；这样一对敏感膜对待测离子形成不同的响应，实现对待测离子的精准检测；低敏感度敏感膜通过对高敏感度敏感膜注入对待测物离子活度灵敏度较低的材料而得到。本发明方法简单易得，可应用价值。