公开(公告)号：CN102127742A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110049752.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周靖 ,  陆明

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/46 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明属于硅纳米材料技术领域，具体为一种利用离子束轰击制备硅纳米锥阵列的方法。其步骤包括：构建真空环境，离子溅射时真空腔气压保持在2×10-2Pa以下；在真空腔内放置所要掺杂的金属，形成离子束轰击过程中的金属共掺杂；用离子束轰击硅片以及所要掺杂的金属，离子束能量500eV~10keV；离子束流密度150mAcm-2~2000mAcm-2；轰击时间20min~260min。本发明制备硅纳米锥阵列无需掩膜，免去了掩膜制备的复杂工艺流程。制备的硅纳米锥阵列的表面在可见光至近红外波段的反射率低于10%，即具有抗反射效果。

公开(公告)号：CN104064625A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410268886.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邱迎 ,  王亮兴 ,  周靖 ,  宋省池 ,  陆明

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明属于光伏新型材料技术领域，具体为一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法。具体步骤包括：（1）制备PN结，对P型或N型硅片进行掺杂形成PN结；（2）表面硅纳米锥制备，对硅片进行大束流离子束轰击，在表面自组织生长硅纳米锥，同时进行真空退火，消除表面缺陷；（3）上表面钝化，蒸镀一层二氧化硅或三氧化二铝或氮化硅等钝化层；（4）下表面钝化加场效应，蒸镀一层三氧化二铝或氧化镁；（5）制作上下电极。本发明方法对设备要求较低，成本低廉，安全无毒，是一种新型的制备全太阳光谱响应太阳电池的方法。