公开(公告)号：CN103475310B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201310428255.3

申请日：2013-09-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李巍 ,  周自波

IPC: H03B19/00

Abstract: 本发明属于射频频率综合器集成电路技术领域，具体为一种低功耗注入锁定三倍频器电路。该电路包括谐波产生器和注入锁定振荡器。谐波产生器由一对NMOS管构成，偏置在弱反型区，输入基频信号f0产生最大效率的三次谐波信号3f0；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、可变电容、数字控制电容阵列和可调电流源组成，其工作频率在3f0附近。在自由振荡模式下，一对NMOS管栅极无输入信号，注入锁定振荡器偏置电流由可调电流源提供，输出自激振荡频率；在注入锁定模式下，一对NMOS管栅极有频率在f0附近的基频信号，使得注入锁定三倍频电路锁定在频率3f0，此时直流功耗非常低。该电路电源电压为0.8V，直流功耗仅为0.16mW。

公开(公告)号：CN103475310A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310428255.3

申请日：2013-09-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李巍 ,  周自波

IPC: H03B19/00

Abstract: 本发明属于射频频率综合器集成电路技术领域，具体为一种低功耗注入锁定三倍频器电路。该电路包括谐波产生器和注入锁定振荡器。谐波产生器由一对NMOS管构成，偏置在弱反型区，输入基频信号f0产生最大效率的三次谐波信号3f0；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、可变电容、数字控制电容阵列和可调电流源组成，其工作频率在3f0附近。在自由振荡模式下，一对NMOS管栅极无输入信号，注入锁定振荡器偏置电流由可调电流源提供，输出自激振荡频率；在注入锁定模式下，一对NMOS管栅极有频率在f0附近的基频信号，使得注入锁定三倍频电路锁定在频率3f0，此时直流功耗非常低。该电路电源电压为0.8V，直流功耗仅为0.16mW。