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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107579133B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710815428.5
申请日：2017-09-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光伏技术领域，具体为一种背接触式黑硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，背表面黑硅将有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，而受光面将采用表面织构化技术。产生的300‑1500nm广谱光生电子空穴对都可被IBC结构的PN结区有效利用，其光电流远高于常见的晶硅太阳能电池。这种新型的IBC结构同时利用了黑硅的广谱吸收效应和背接触光伏结区构造的优势，从根本上拓宽了晶硅太阳能电池的光谱响应，突破窄带晶硅电池效率理论极限29%，充分利用占据太阳光能谱近半的红外光，实现近20年来晶硅电池工艺瓶颈的突破。
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公开(公告)号：CN107240623A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710449371.1
申请日：2017-06-14
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y30/00 , H01L31/1868
Abstract: 本发明属于光伏技术领域，具体为一种表面等离激元和界面场协同增强型单晶硅电池的制备方法。本发明使用热退火诱导法制备镶嵌于二氧化硅上钝化层中的金属颗粒（直径
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公开(公告)号：CN107579133A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710815428.5
申请日：2017-09-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光伏技术领域，具体为一种背接触式黑硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，背表面黑硅将有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，而受光面将采用表面织构化技术。产生的300-1500nm广谱光生电子空穴对都可被IBC结构的PN结区有效利用，其光电流远高于常见的晶硅太阳能电池。这种新型的IBC结构同时利用了黑硅的广谱吸收效应和背接触光伏结区构造的优势，从根本上拓宽了晶硅太阳能电池的光谱响应，突破窄带晶硅电池效率理论极限29%，充分利用占据太阳光能谱近半的红外光，实现近20年来晶硅电池工艺瓶颈的突破。
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公开(公告)号：CN107507886A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710602914.9
申请日：2017-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/186 , H01L31/1868
Abstract: 本发明属于光伏技术领域，具体为一种背表面黑硅和氧化铝钝化协同增强型单晶硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，使用原子层沉积制备氧化铝背钝化层，背表面黑硅有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，产生的光生电子空穴对由铝背场和氧化铝对p型硅的界面场效应拉开，形成额外的光电流。同时氧化铝的化学钝化改善了电池宽谱的光电响应，而背表面梯度带隙结构又增加了开压。这种复合结构可以视作一种优秀的背表面钝化层，相比PERC电池等结构中的背局域接触钝化层（点选择性硼/铝背场+氧化铝），有着工艺简单、廉价等巨大优势。
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