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公开(公告)号：CN109412554B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811111201.3
申请日：2018-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明属于射频微波集成电路技术领域，具体为一种宽带高精度数控有源衰减器。本发明衰减器包括六个一位的数控衰减单元和三个幅度补偿匹配电路，以及冗余的0.5dB衰减单元和1dB衰减单元用于系统性能微调整。该衰减器的衰减单元基于switched Pi/T类型的架构，衰减器通过控制MOS管开关的通断分别提供0.5、1、2、4、8、16dB的衰减；幅度补偿匹配电路由MOS开关并联电感组成，开关的导通和关断可以改变幅度随着频率变化的斜率，进而能够显著减小幅度误差；此外，该衰减器的0.5dB、1dB衰减单元中的电阻采用晶体管导通电阻代替，减小了由工艺偏差带来的误差；为便于衰减量的补充和微调，设计了冗余的0.5dB衰减单元和1dB衰减单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113162647A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110283202.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频微波集成电路技术领域，具体为一种相控阵系统中的宽带多功能收发组件。本发明宽带多功能收发组件采用发射模块与接收模块共用移相器与低噪声放大器的共腿结构，在频段内实现平坦增益，并实现360°范围内的6bit精度移相以及0‑28.5dB范围内的5.8bit精度衰减，具体结构包括：依次连接的高线性度低噪声放大器、衰减器、单刀双掷开关、低噪声放大器、移相器、单刀双掷开关、功率放大器。该收发组件可以确保接收模块和发射模块在宽带波段上的输出频谱平坦和高线性度；移相器通过开关控制子增益单元来合成所需要的幅度，解决了移相准确度下降问题，同时也无需设计复杂的高位DAC为VGA提供大范围变化的偏置电流。
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公开(公告)号：CN113162647B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110283202.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频微波集成电路技术领域，具体为一种相控阵系统中的宽带多功能收发组件。本发明宽带多功能收发组件采用发射模块与接收模块共用移相器与低噪声放大器的共腿结构，在频段内实现平坦增益，并实现360°范围内的6bit精度移相以及0‑28.5dB范围内的5.8bit精度衰减，具体结构包括：依次连接的高线性度低噪声放大器、衰减器、单刀双掷开关、低噪声放大器、移相器、单刀双掷开关、功率放大器。该收发组件可以确保接收模块和发射模块在宽带波段上的输出频谱平坦和高线性度；移相器通过开关控制子增益单元来合成所需要的幅度，解决了移相准确度下降问题，同时也无需设计复杂的高位DAC为VGA提供大范围变化的偏置电流。
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公开(公告)号：CN110837268A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911257150.X
申请日：2019-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟CMOS集成电路技术领域，具体为一种低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器。本发明两级低压差线性稳压器由高电源抑制比的低压差线性稳压器和低噪声的低压差线性稳压器级联而成；前者包括高电源抑制比带隙基准电压源和高电源抑制比低压差线性稳压器主体电路；后者包括低噪声带隙基准电压源和低噪声低压差线性稳压器主体电路。在1.8V电源电压VDD下，高电源抑制比的低压差线性稳压器为低噪声的低压差线性稳压器提供1.4V的零温度系数电源电压VDD1；两者级联实现一个低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器，并输出一个600mV的零温度系数电压Vout。
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公开(公告)号：CN109412554A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811111201.3
申请日：2018-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明属于射频微波集成电路技术领域，具体为一种宽带高精度数控有源衰减器。本发明衰减器包括六个一位的数控衰减单元和三个幅度补偿匹配电路，以及冗余的0.5dB衰减单元和1dB衰减单元用于系统性能微调整。该衰减器的衰减单元基于switched Pi/T类型的架构，衰减器通过控制MOS管开关的通断分别提供0.5、1、2、4、8、16dB的衰减；幅度补偿匹配电路由MOS开关并联电感组成，开关的导通和关断可以改变幅度随着频率变化的斜率，进而能够显著减小幅度误差；此外，该衰减器的0.5dB、1dB衰减单元中的电阻采用晶体管导通电阻代替，减小了由工艺偏差带来的误差；为便于衰减量的补充和微调，设计了冗余的0.5dB衰减单元和1dB衰减单元。
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公开(公告)号：CN110837268B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201911257150.X
申请日：2019-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟CMOS集成电路技术领域，具体为一种低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器。本发明两级低压差线性稳压器由高电源抑制比的低压差线性稳压器和低噪声的低压差线性稳压器级联而成；前者包括高电源抑制比带隙基准电压源和高电源抑制比低压差线性稳压器主体电路；后者包括低噪声带隙基准电压源和低噪声低压差线性稳压器主体电路。在1.8V电源电压VDD下，高电源抑制比的低压差线性稳压器为低噪声的低压差线性稳压器提供1.4V的零温度系数电源电压VDD1；两者级联实现一个低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器，并输出一个600mV的零温度系数电压Vout。
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