含甲砜基结构的二酚单体、聚芳醚类聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN117700342A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311458071.1

    申请日:2023-11-04

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 程元荣 何剑浩

    Abstract: 本发明属于高性能聚合物技术领域,具体为含甲砜基结构的二酚单体、聚芳醚类聚合物及其制备方法。本发明提供的含甲砜基结构的二酚单体与对氟二苯甲砜等二卤代单体通过缩聚反应而制备的聚芳醚类聚合物,具有高介电常数、低介电损耗,同时具备良好的成膜性及热稳定性。该聚芳醚类聚合物(薄膜)作为电介质材料可用于高温电容储能、光电器件领域中,亦可作为可溶性聚芳醚加工使用。本发明提供的高介电低损耗聚芳醚类聚合物的制备方法,其工艺简单,反应条件温和,对实验环境和条件要求较低,便于于工业大规模生产。

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