公开(公告)号：CN1790715A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510115838.6

申请日：2005-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  朱慧珑 ,  B·B·多里斯 ,  T·S·卡纳尔斯基 ,  刘小虎

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供了一种能够产生用于沟道迁移率调整的局部机械栅极应力的半导体结构和方法。所述半导体结构包括半导体衬底表面上的至少一个NFET和至少一个PFET。所述至少一个NFET具有包括栅极介质、第一栅极电极层、阻挡层和压缩金属的栅极叠层结构，而所述至少一个PFET具有包括栅极介质、第一栅极电极层、阻挡层和拉伸金属或硅化物的栅极叠层。

公开(公告)号：CN101320713A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810109056.5

申请日：2008-05-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·S·卡纳尔斯基 ,  欧阳齐庆 ,  尹海洲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7847

Abstract: 在至少一个PFET和至少一个NFET上形成应力传递电介质层。诸如氮化硅的拉应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个NFET上。可以是耐熔金属氮化物膜的压应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个PFET上。密封电介质膜沉积在压应力产生膜之上。应力从拉应力产生膜和压应力产生膜转移到下面的半导体结构中。从耐熔金属氮化物膜转移的压应力的大小可以在约5GPa到约20GPa。在退火期间，应力被记忆，并且在去除了应力产生膜后保持在半导体器件中。