公开(公告)号：CN116097643A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180054151.3

申请日：2021-09-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·穆格 ,  F·克里克 ,  E·吕格尔 ,  M·迪德里希 ,  C·罗斯

IPC: H04N7/18

Abstract: 提供了执行以下操作的方法、计算机程序产品、设备和/或系统：从输入数据流接收数据；将数据分离成数据块，并且根据选择配置矩阵将数据块存储在一组不同的矩阵缓冲器中，直到矩阵缓冲器被填满；通过多个处理单元处理数据块，每个处理单元经由I/O块与该矩阵缓冲器中的矩阵缓冲器相关联；将经处理的数据块作为输入提供给神经网络组件；以及通过神经网络组件对数据进行分类并基于数据的分类对数据进行过滤。

公开(公告)号：CN101939850B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200980104281.2

申请日：2009-01-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·K·克劳斯 ,  G·普非伊费尔 ,  H-J·埃克尔曼 ,  T·穆格

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0508 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及制造硅太阳能电池的方法，所述方法包括：提供载体板(100)；将第一接触图形施加到所述载体板(100)，所述第一接触图形包含一组第一层状接触(104)；将多个硅片(108)施加到所述第一接触图形，其中该组第一层状接触(104)中的每一个第一层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触；以及将第二接触图形施加到所述多个硅片(108)，其中所述第二接触图形包含一组第二层状接触(200)，其中该组第二层状接触(200)中的每一个第二层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触。

公开(公告)号：CN101939850A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104281.2

申请日：2009-01-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·K·克劳斯 ,  G·普非伊费尔 ,  H-J·埃克尔曼 ,  T·穆格

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0508 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及制造硅太阳能电池的方法，所述方法包括：提供载体板(100)；将第一接触图形施加到所述载体板(100)，所述第一接触图形包含一组第一层状接触(104)；将多个硅片(108)施加到所述第一接触图形，其中该组第一层状接触(104)中的每一个第一层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触；以及将第二接触图形施加到所述多个硅片(108)，其中所述第二接触图形包含一组第二层状接触(200)，其中该组第二层状接触(200)中的每一个第二层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触。