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公开(公告)号：CN110350082B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910096762.9
申请日：2019-01-31
Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1‑xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
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公开(公告)号：CN110350082A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910096762.9
申请日：2019-01-31
Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1-xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
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公开(公告)号：CN109713117B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201811247710.9
申请日：2018-10-25
Abstract: 提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106803532A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN105826462A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610048540.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种结构体，包括Mn1+cX形式的四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，以及0≤c≤3。所述四方霍斯勒直接在沿(001)方向取向的且以YMn1+d形式的基底上(或更通常地，在基底上面)生长，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，以及0≤d≤4。所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。所述结构体可形成磁性隧道结磁阻器件的部件，且这样的磁阻器件的阵列可共同形成MRAM。
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公开(公告)号：CN106803532B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN109713117A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811247710.9
申请日：2018-10-25
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F1/147 , H01F10/1936 , H01F10/30 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: 提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
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公开(公告)号：CN105826462B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610048540.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种结构体，包括Mn1+cX形式的四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，以及0≤c≤3。所述四方霍斯勒直接在沿(001)方向取向的且以YMn1+d形式的基底上(或更通常地，在基底上面)生长，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，以及0≤d≤4。所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。所述结构体可形成磁性隧道结磁阻器件的部件，且这样的磁阻器件的阵列可共同形成MRAM。
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