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公开(公告)号：CN110350082B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910096762.9
申请日：2019-01-31
Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1‑xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
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公开(公告)号：CN118632615A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410259040.1
申请日：2024-03-07
Abstract: 本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括：包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层，所述第一二元合金包括铂‑铝(PtAl)。
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公开(公告)号：CN116896977A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310331039.0
申请日：2023-03-30
Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性半赫斯勒层，所述半金属性半赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性半赫斯勒材料。所述半金属性半赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性半赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的半赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性半赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
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公开(公告)号：CN107452871B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710351707.0
申请日：2017-05-18
Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110350082A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910096762.9
申请日：2019-01-31
Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1-xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
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公开(公告)号：CN116896978A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310331705.0
申请日：2023-03-30
Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性赫斯勒层，所述半金属性赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性赫斯勒材料。所述半金属性赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
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公开(公告)号：CN114765245A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111564093.7
申请日：2021-12-20
Abstract: 描述了磁性结构、包含所述磁性结构的磁性器件以及用于提供所述磁性结构的方法。所述磁性结构包括磁性层、模板结构和电阻插入层。磁性层包括赫斯勒化合物并具有超过平面外退磁能的垂直磁各向异性能。模板结构具有被构造为对赫斯勒化合物和电阻插入层中的至少一者进行模板化的晶体结构。磁性层在模板结构上。电阻插入层被构造为减小赫斯勒化合物的磁阻尼并允许对赫斯勒化合物的模板化。
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公开(公告)号：CN109713117A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811247710.9
申请日：2018-10-25
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F1/147 , H01F10/1936 , H01F10/30 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: 提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
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