公开(公告)号：CN102668085B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080055451.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  杨政翰 ,  蒋信

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C11/5685 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  G11C11/5671 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/165

Abstract: 掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态，如，高电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示高的可再现开关特性。通过增加氮浓度，可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地，通过改变氮浓度，可改变高电阻状态的电阻，和通过改变氮浓度几个百分比，可减少高电阻状态的电阻若干数量级。另一方面，低电阻状态的电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流，可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。

公开(公告)号：CN102668085A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055451.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  杨政翰 ,  蒋信

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C11/5685 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  G11C11/5671 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/165

Abstract: 掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态，如，高电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示高的可再现开关特性。通过增加氮浓度，可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地，通过改变氮浓度，可改变高电阻状态的电阻，和通过改变氮浓度几个百分比，可减少高电阻状态的电阻若干数量级。另一方面，低电阻状态的电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流，可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。