公开(公告)号：CN106605450B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201580047065.4

申请日：2015-09-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·V·德什潘德 ,  S·V·德什潘德 ,  D·克利斯 ,  O·格鲁申克夫 ,  S·克里什南

IPC: H05G2/00

CPC classification number: H05G2/005 ,  H05G2/003 ,  H05G2/008

Abstract: 极紫外(EUV)辐射源粒料(8)包括至少一个金属颗粒(30)，该至少一个金属颗粒嵌入在重惰性气体团簇(20)内，该重惰性气体团簇包含在惰性气体壳团簇(10)内。EUV辐射源组件可以通过至少一个第一激光脉冲和至少一个第二激光脉冲的顺序照射得以激活。每个第一激光脉冲通过从至少一个金属颗粒(30)分离外轨道电子并将电子释放到重惰性气体团簇(20)中而产生等离子体。每个第二激光脉冲放大嵌入在重惰性气体团簇(20)中的等离子体，触发激光驱动的自放大过程。经放大的等离子体引发重惰性气体和其他构成原子中的轨道间电子跃迁，导致EUV辐射的发射。激光脉冲单元可以与源粒料产生单元组合以形成集成的EUV源系统。

公开(公告)号：CN106605450A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580047065.4

申请日：2015-09-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·V·德什潘德 ,  S·V·德什潘德 ,  D·克利斯 ,  O·格鲁申克夫 ,  S·克里什南

IPC: H05G2/00

CPC classification number: H05G2/005 ,  H05G2/003 ,  H05G2/008

Abstract: 极紫外(EUV)辐射源粒料(8)包括至少一个金属颗粒(30)，该至少一个金属颗粒嵌入在重惰性气体团簇(20)内，该重惰性气体团簇包含在惰性气体壳团簇(10)内。EUV辐射源组件可以通过至少一个第一激光脉冲和至少一个第二激光脉冲的顺序照射得以激活。每个第一激光脉冲通过从至少一个金属颗粒(30)分离外轨道电子并将电子释放到重惰性气体团簇(20)中而产生等离子体。每个第二激光脉冲放大嵌入在重惰性气体团簇(20)中的等离子体，触发激光驱动的自放大过程。经放大的等离子体引发重惰性气体和其他构成原子中的轨道间电子跃迁，导致EUV辐射的发射。激光脉冲单元可以与源粒料产生单元组合以形成集成的EUV源系统。

公开(公告)号：CN101542710B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200780031776.8

申请日：2007-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·德什潘德 ,  P·W·德哈文 ,  A·马丹 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76856

Abstract: 本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬。还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。

公开(公告)号：CN101542710A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780031776.8

申请日：2007-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·德什潘德 ,  P·W·德哈文 ,  A·马丹 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76856

Abstract: 本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬。还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。