公开(公告)号：CN101099248B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580045925.7

申请日：2005-12-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿武雷斯 ,  R·卡鲁瑟斯 ,  陈佳 ,  C·德塔韦尼耶 ,  C·拉沃耶 ,  H-S·P·翁

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。

公开(公告)号：CN101099248A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580045925.7

申请日：2005-12-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿武雷斯 ,  R·卡鲁瑟斯 ,  陈佳 ,  C·德塔韦尼耶 ,  C·拉沃耶 ,  H-S·P·翁

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。