公开(公告)号：CN101099248A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580045925.7

申请日：2005-12-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿武雷斯 ,  R·卡鲁瑟斯 ,  陈佳 ,  C·德塔韦尼耶 ,  C·拉沃耶 ,  H-S·P·翁

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。

公开(公告)号：CN1510768A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123037.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·阿彭策勒 ,  P·阿武雷斯 ,  R·马特尔 ,  J·A·米谢维奇 ,  A·G·施罗特

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/22

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/16 ,  H01L27/20

Abstract: 一种用于压电器件的结构(和方法)，包括压电材料层。纳米管结构被安装使得压电材料的形状的变化引起纳米管结构中的应力的变化。

公开(公告)号：CN101099248B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580045925.7

申请日：2005-12-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿武雷斯 ,  R·卡鲁瑟斯 ,  陈佳 ,  C·德塔韦尼耶 ,  C·拉沃耶 ,  H-S·P·翁

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。

公开(公告)号：CN100364128C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200310123037.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·阿彭策勒 ,  P·阿武雷斯 ,  R·马特尔 ,  J·A·米谢维奇 ,  A·G·施罗特

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/22 ,  G01R27/08 ,  G01R29/22 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/16 ,  H01L27/20

Abstract: 一种用于压电器件的结构(和方法)，包括压电材料层。纳米管结构被安装使得压电材料的形状的变化引起纳米管结构中的应力的变化。