公开(公告)号：CN101276787A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810083457.8

申请日：2008-03-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  阎红雯 ,  B·B·多丽斯 ,  杨庆云 ,  R·加甘纳桑 ,  陈自强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

Abstract: 公开了一种制造半导体结构的方法。实施例中公开了多种用于制造双栅极半导体结构的集成方案。通过使用新颖的集成方案，使多晶硅栅极MOSFET和高k电介质金属栅极MOSFET形成在相同的半导体衬底上，尽管栅极堆叠的组成不同并且导致不同的蚀刻速率。在这些集成方案中，将薄多晶硅层用于一种类型的栅电极，而将含硅层用于另一种类型的栅电极，以平衡不同的蚀刻速率并且使得能够蚀刻两种不同的栅极堆叠。

公开(公告)号：CN101276787B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810083457.8

申请日：2008-03-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  阎红雯 ,  B·B·多丽斯 ,  杨庆云 ,  R·加甘纳桑 ,  陈自强

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

Abstract: 公开了一种制造半导体结构的方法。实施例中公开了多种用于制造双栅极半导体结构的集成方案。通过使用新颖的集成方案，使多晶硅栅极MOSFET和高k电介质金属栅极MOSFET形成在相同的半导体衬底上，尽管栅极堆叠的组成不同并且导致不同的蚀刻速率。在这些集成方案中，将薄多晶硅层用于一种类型的栅电极，而将含硅层用于另一种类型的栅电极，以平衡不同的蚀刻速率并且使得能够蚀刻两种不同的栅极堆叠。