公开(公告)号：CN1284214C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN01823254.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·多库马丝 ,  O·格鲁斯臣科夫 ,  S·G·赫德杰 ,  R·卡普兰 ,  M·克哈尔

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28176 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4941

Abstract: 本申请提供了一种在不显著增加整个加工方案的热预算的情况下增强晶体管栅角氧化速率的方法，具体地说，本发明的方法包括：将离子注入到含Si晶体管的栅角中，将包括被注入的晶体管栅角的晶体管暴露于氧化环境。该注入步骤中采用的离子包括：Si；非氧化抑制离子例如O、Ge、As、B、P、In、Sb、Ga、F、Cl、He、Ar、Kr、Xe；及它们的混合物。

公开(公告)号：CN1529906A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN01823254.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·多库马丝 ,  O·格鲁斯臣科夫 ,  S·G·赫德杰 ,  R·卡普兰 ,  M·克哈尔

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28176 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4941

Abstract: 本申请提供了一种在不显著增加整个加工方案的热预算的情况下增强晶体管栅角氧化速率的方法，具体地说，本发明的方法包括：将离子注入到含Si晶体管的栅角中，将包括被注入的晶体管栅角的晶体管暴露于氧化环境。该注入步骤中采用的离子包括：Si；非氧化抑制离子例如O、Ge、As、B、P、In、Sb、Ga、F、Cl、He、Ar、Kr、Xe；及它们的混合物。