公开(公告)号：CN101160664B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580015396.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  K·W·瓜里尼 ,  M·耶奥 ,  K·里姆 ,  杨敏

IPC: H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054

Abstract: 本发明公开了一种用于传导载流子的结构及其形成方法，结合具有 的上表面的Si或SiGe单晶衬底和SiGe伪晶或外延层，其具有不同于衬底的Ge浓度从而伪晶层处于应变。公开了一种形成半导体外延层的方法，结合在快速热化学气相沉积(RTCVD)工具中通过将工具中的温度升高到约600℃并且引入含Si气体和含Ge气体形成伪晶或外延层的步骤。公开了一种用于外延沉积化学处理衬底的方法，包括如下步骤：将衬底浸入一系列分别含有臭氧，稀HF，去离子水，HCl酸和去离子水的浴中，随后在惰性气氛中干燥衬底以获得无杂质并且具有小于0.1nm的RMS粗糙度的衬底表面。

公开(公告)号：CN101160664A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200580015396.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·陈 ,  K·W·瓜里尼 ,  M·耶奥 ,  K·里姆 ,  杨敏

IPC: H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054

Abstract: 本发明公开了一种用于传导载流子的结构及其形成方法，结合具有〈110〉的上表面的Si或SiGe单晶衬底和SiGe伪晶或外延层，其具有不同于衬底的Ge浓度从而伪晶层处于应变。公开了一种形成半导体外延层的方法，结合在快速热化学气相沉积(RTCVD)工具中通过将工具中的温度升高到约600℃并且引入含Si气体和含Ge气体形成伪晶或外延层的步骤。公开了一种用于外延沉积化学处理衬底的方法，包括如下步骤：将衬底浸入一系列分别含有臭氧，稀HF，去离子水，HCl酸和去离子水的浴中，随后在惰性气氛中干燥衬底以获得无杂质并且具有小于0.1nm的RMS粗糙度的衬底表面。