公开(公告)号：CN103050515B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210385506.X

申请日：2012-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  J.B.常 ,  S.K.卡纳卡萨巴帕西 ,  P.库卡尼 ,  T.E.斯坦达特 ,  山下典洪

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种晶体管，例如，FinFET，该晶体管包括设置在基板之上的栅极结构。栅极结构具有宽度以及限定栅极结构的两个相对侧壁的长度和高度。晶体管还包括:至少一个导电沟道，设在源极区域和漏极区域之间且通过栅极结构的侧壁；电介质层，设置在栅极结构之上以及导电沟道的在栅极结构外侧的部分之上；以及气隙，设在电介质层下。气隙设置为相邻于栅极结构的侧壁且用于减小晶体管的寄生电容。本发明还公开了制造该晶体管的至少一种方法。

公开(公告)号：CN103050515A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210385506.X

申请日：2012-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  J.B.常 ,  S.K.卡纳卡萨巴帕西 ,  P.库卡尼 ,  T.E.斯坦达特 ,  山下典洪

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种晶体管，例如，FinFET，该晶体管包括设置在基板之上的栅极结构。栅极结构具有宽度以及限定栅极结构的两个相对侧壁的长度和高度。晶体管还包括:至少一个导电沟道，设在源极区域和漏极区域之间且通过栅极结构的侧壁；电介质层，设置在栅极结构之上以及导电沟道的在栅极结构外侧的部分之上；以及气隙，设在电介质层下。气隙设置为相邻于栅极结构的侧壁且用于减小晶体管的寄生电容。本发明还公开了制造该晶体管的至少一种方法。