使用晶片级集成的超级计算机

    公开(公告)号:CN107251213A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201680010932.1

    申请日:2016-02-15

    Abstract: 半导体结构包括基板,基板具有冷却层、冷却通道、与冷却通道流体连通的冷却剂入口和出口,以及具有一个或多个连接点和器件层区域的冷却层上的器件层。器件层的热膨胀系数基本上等于冷却层的热膨胀系数。多个层压基板设置在器件层上并电气附接到器件层。叠压基板的热膨胀系数与器件层的热膨胀系数不同,每个层压基板小于其所附接的器件层部分,且每个层压基板包括相邻层压基板的侧面之间的间隙。层压基板在层压基板之间的间隙上不彼此电气或机械地连接,且层压基板足够小以防止由于热膨胀而导致的器件层、互连层和冷却层的翘曲和不可接受的应力。

    超薄微电池包装和处理
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115210926A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180018115.1

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 本发明提供了微电池和用于形成微电池的方法。该微电池和方法解决了对于形成微电池的一部分的堆叠体的边缘的边缘密封问题和对于在分批工艺中用于微电池的单个电池的整体密封中的至少一个或两个问题。在实例中提出了一种可转移的焊料成型设备和密封结构,以提供用于固态薄膜微电池的金属外壳。所提出的示范性工艺涉及与微电池分开地沉积或预先形成低温焊料外壳。然后,可以使用热压缩来将焊料外壳转移到每个电池单元,其中在示例中在分批工艺中使用处理器设备。这些示例性实施例可以解决在处理、金属密封和封装期间固态薄膜电池的温度容差约束。

    超薄微电池包装和处理
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115210926B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202180018115.1

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 本发明提供了微电池和用于形成微电池的方法。该微电池和方法解决了对于形成微电池的一部分的堆叠体的边缘的边缘密封问题和对于在分批工艺中用于微电池的单个电池的整体密封中的至少一个或两个问题。在实例中提出了一种可转移的焊料成型设备和密封结构,以提供用于固态薄膜微电池的金属外壳。所提出的示范性工艺涉及与微电池分开地沉积或预先形成低温焊料外壳。然后,可以使用热压缩来将焊料外壳转移到每个电池单元,其中在示例中在分批工艺中使用处理器设备。这些示例性实施例可以解决在处理、金属密封和封装期间固态薄膜电池的温度容差约束。

    使用晶片级集成的超级计算机

    公开(公告)号:CN107251213B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201680010932.1

    申请日:2016-02-15

    Abstract: 半导体结构包括基板,基板具有冷却层、冷却通道、与冷却通道流体连通的冷却剂入口和出口,以及具有一个或多个连接点和器件层区域的冷却层上的器件层。器件层的热膨胀系数基本上等于冷却层的热膨胀系数。多个层压基板设置在器件层上并电气附接到器件层。叠压基板的热膨胀系数与器件层的热膨胀系数不同,每个层压基板小于其所附接的器件层部分,且每个层压基板包括相邻层压基板的侧面之间的间隙。层压基板在层压基板之间的间隙上不彼此电气或机械地连接,且层压基板足够小以防止由于热膨胀而导致的器件层、互连层和冷却层的翘曲和不可接受的应力。

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