公开(公告)号：CN101409234A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810128976.1

申请日：2008-06-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·古哈 ,  F·R·迈克费里 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁楚利 ,  J·J·约卡斯

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种在高k栅极电介质/界面层的叠层上形成包含电正性金属的覆盖层的方法，其避免化学和物理地更改高k栅极电介质和界面层。该方法包括在大约400℃或更低的温度下包含电正性金属的前体的化学汽相沉积。本发明也提供半导体结构例如MOSCAP和MOSFET，其包括位于高k栅极电介质和界面层的叠层上的化学汽相沉积的包含电正性金属的覆盖层。CVD包含电正性金属的覆盖层的存在不会物理或化学地更改高k栅极电介质和界面层。

公开(公告)号：CN101409234B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810128976.1

申请日：2008-06-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·古哈 ,  F·R·迈克费里 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁楚利 ,  J·J·约卡斯

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，涉及在高k栅极电介质/界面层的叠层上形成包含电正性金属的覆盖层，其避免化学和物理地更改高k栅极电介质和界面层。该方法包括在大约400℃或更低的温度下包含电正性金属的前体的化学汽相沉积。本发明也提供半导体结构例如MOSCAP和MOSFET，其包括位于高k栅极电介质和界面层的叠层上的化学汽相沉积的包含电正性金属的覆盖层。CVD包含电正性金属的覆盖层的存在不会物理或化学地更改高k栅极电介质和界面层。