公开(公告)号：CN102439700B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080014684.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·J·格林尼 ,  M·P·储德泽克 ,  汉述仁 ,  W·K·汉森 ,  梁玥 ,  E·P·马切耶夫斯基 ,  罗明姬 ,  E·J·诺瓦克 ,  余晓军

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。

公开(公告)号：CN102439700A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080014684.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·J·格林尼 ,  M·P·储德泽克 ,  汉述仁 ,  W·K·汉森 ,  梁玥 ,  E·P·马切耶夫斯基 ,  罗明姬 ,  E·J·诺瓦克 ,  余晓军

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。