公开(公告)号：CN101231670A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810002036.8

申请日：2008-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·G·罗弗乔伊 ,  E·J·诺瓦克 ,  S·Y·卢 ,  罗明姬 ,  S·K·斯普凌格尔

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明涉及产生模型的方法和装置。在这里公开了一种产生代表在特定的制造环境中处于芯片、晶片或多晶片级的半导体器件的定制的集约模型的自动、快速并有效的方法。具体而言，从特定的制造环境收集测量数据并通过沟道长度分类所述测量数据。然后，使用优化器产生基于所述测量数据的定制的建模参数。优化处理是多步处理。第一，基于与长沟道长度相关的测量数据产生第一组建模参数。第二，基于所述第一组建模参数和与短沟道长度相关的测量数据产生第二组建模参数。最后，基于所述第一组和所述第二组建模参数产生所述定制的建模参数。使用所述定制的建模参数产生代表所述特定的制造环境的定制的集约器件模型。

公开(公告)号：CN102439700B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080014684.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·J·格林尼 ,  M·P·储德泽克 ,  汉述仁 ,  W·K·汉森 ,  梁玥 ,  E·P·马切耶夫斯基 ,  罗明姬 ,  E·J·诺瓦克 ,  余晓军

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。

公开(公告)号：CN101427378B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200680015718.1

申请日：2006-05-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·J·诺瓦克 ,  罗明姬

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78615

Abstract: 一种用于测量泄漏电流的结构(100)和方法。所述结构包括：在半导体衬底(175)中形成的体(105)；在所述硅体(105)的顶表面上的介质层(125/130)；以及在所述介质层(125/130)的顶表面上的导电层(110)，所述介质层(125/130)的第一区域具有第一厚度(T1)以及在所述导电层(110)与所述体(105)的所述顶表面之间的所述介质层(125/130)的第二区域具有第二厚度(T2)，所述第二厚度(T2)与所述第一厚度(T1)不同，其中所述硅体与所述导电层电隔离。所述方法包括，提供具有不同的第一介质区域(125/130)的面积和相同的第二介质区域(125/130)的面积或具有相同的第一介质区域(125/130)的面积和不同的第二介质区域(125/130)的面积的两个上述结构(100)，对于每一个结构(100)测量在所述导电层(110)与所述体(105)之间的电流并基于所述两个器件的所述电流测量和介质层(125/130)面积计算栅极隧穿泄漏电流。

公开(公告)号：CN102439700A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080014684.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·J·格林尼 ,  M·P·储德泽克 ,  汉述仁 ,  W·K·汉森 ,  梁玥 ,  E·P·马切耶夫斯基 ,  罗明姬 ,  E·J·诺瓦克 ,  余晓军

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。

公开(公告)号：CN100550349C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610144476.8

申请日：2006-11-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  E·J·诺瓦克 ,  B·A·安德森 ,  罗明姬

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种用于制造旋转场效应晶体管的装置和方法。该方法包括提供衬底，所述衬底包括相互不平行的第一栅极结构和第二栅极结构。该方法还包括与所述第一栅极结构的边缘基本上垂直地进行第一离子注入，以形成第一杂质区，以及在不同于所述第一离子注入的方向且与所述第二栅极结构的边缘基本上垂直的方向进行第二离子注入，以在所述第二栅极结构的边缘下方形成第二杂质区。

公开(公告)号：CN101427378A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200680015718.1

申请日：2006-05-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·J·诺瓦克 ,  罗明姬

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78615

Abstract: 一种用于测量泄漏电流的结构(100)和方法。所述结构包括：在半导体衬底(175)中形成的体(105)；在所述硅体(105)的顶表面上的介质层(125/130)；以及在所述介质层(125/130)的顶表面上的导电层(110)，所述介质层(125/130)的第一区域具有第一厚度(T1)以及在所述导电层(110)与所述体(105)的所述顶表面之间的所述介质层(125/130)的第二区域具有第二厚度(T2)，所述第二厚度(T2)与所述第一厚度(T1)不同。所述方法包括，提供具有不同的第一介质区域(125/130)的面积和相同的第二介质区域(125/130)的面积或具有相同的第一介质区域(125/130)的面积和不同的第二介质区域(125/130)的面积的两个上述结构(100)，对于每一个结构(100)测量在所述导电层(110)与所述体(105)之间的电流并基于所述两个器件的所述电流测量和介质层(125/130)面积计算栅极隧穿泄漏电流。