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公开(公告)号：CN114096952A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080048805.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/00
Abstract: 根据实施例，一种计算机实现的方法包括：确定包括在第一准备使用(RTU)队列中的块的数量是否在第一RTU队列的第一范围内。响应于确定包括在第一RTU队列中的块的数量在第一范围中，确定包括在第二RTU队列中的块的数量是否在第二RTU队列的第二范围中。此外，响应于确定包括在第二RTU队列中的块的数量不在第二范围中，从与第一RTU队列对应的第一池中的块之一重定位有效数据。第一池中的块被擦除，并且从第一池转移到对应于第二池的第二RTU队列。
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公开(公告)号：CN104575592A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410496142.1
申请日：2014-09-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C29/021 , G11C7/1006 , G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C29/028
Abstract: 涉及用于q电平存储器单元的方法和设备。提供了一种用于为q电平存储器单元确定电平阈值的方法和设备。读取多个存储器单元以获得各个读取信号组分。根据信号电平处理所述读取信号组分，以生成信号电平向量，所述信号电平向量包括一系列元素，所述一系列元素指示读取信号组分按信号电平顺序的分布。用长度大于扫描中连续窗口位置的间隔的滑动窗口来扫描信号电平向量。在每个窗口位置处，根据窗口中信号电平向量的元素来计算度量Mi。然后根据扫描中所述度量的变化来确定针对连续存储器单元电平的电平阈值。
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公开(公告)号：CN114787783A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085879.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/06
Abstract: 公开了一种用于在一个或多个存储芯片中存储数据的存储器系统和方法，包括：一个或多个存储卡，每个存储卡具有多个存储芯片，并且每个芯片具有多个管芯，所述管芯具有多个存储单元；存储器控制器，包括转换模块，所述转换模块还包括：具有多个条目的逻辑至虚拟转换表(LVT)，所述LVT中的每个条目被配置为将逻辑地址映射到虚拟块地址(VBA)，其中所述VBA对应于所述一个或多个存储卡上的一组存储单元，其中所述LVT中的每个条目还包括用于跟踪对所述VBA的写入操作的数量的写入损耗级别计数，以及读取损耗级别计数，用于跟踪针对映射到所述LVT条目的VBA的读取操作的数量。
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公开(公告)号：CN114096952B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202080048805.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/00
Abstract: 根据实施例，一种计算机实现的方法包括：确定包括在第一准备使用(RTU)队列中的块的数量是否在第一RTU队列的第一范围内。响应于确定包括在第一RTU队列中的块的数量在第一范围中，确定包括在第二RTU队列中的块的数量是否在第二RTU队列的第二范围中。此外，响应于确定包括在第二RTU队列中的块的数量不在第二范围中，从与第一RTU队列对应的第一池中的块之一重定位有效数据。第一池中的块被擦除，并且从第一池转移到对应于第二池的第二RTU队列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114556303A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073128.4
申请日：2020-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 根据一种方法，一种计算机实现的方法包括：通过计算给定页的第一数目的独立读取电压偏移值，使用第一校准方案来校准块中的给定页(606)。尝试读取经校准的给定页(608)，且响应于确定在尝试读取经校准的给定页时发生错误校正码失败，使用第二校准方案来重新校准块中的给定页(612)。第二校准方案被配置为计算给定页的第二数目的独立读取电压偏移值。还尝试读取重新校准的给定页(614)。响应于确定在尝试读取重新校准的给定页时确实发生错误校正码失败，发送用于重定位存储在给定页中的数据的一个或多个指令(618)。
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公开(公告)号：CN114787783B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080085879.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/06
Abstract: 公开了一种用于在一个或多个存储芯片中存储数据的存储器系统和方法，包括：一个或多个存储卡，每个存储卡具有多个存储芯片，并且每个芯片具有多个管芯，所述管芯具有多个存储单元；存储器控制器，包括转换模块，所述转换模块还包括：具有多个条目的逻辑至虚拟转换表(LVT)，所述LVT中的每个条目被配置为将逻辑地址映射到虚拟块地址(VBA)，其中所述VBA对应于所述一个或多个存储卡上的一组存储单元，其中所述LVT中的每个条目还包括用于跟踪对所述VBA的写入操作的数量的写入损耗级别计数，以及读取损耗级别计数，用于跟踪针对映射到所述LVT条目的VBA的读取操作的数量。
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公开(公告)号：CN114072774B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080048886.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/00
Abstract: 根据实施例，一种计算机实现的方法包括：维护所述存储系统中的每个存储块的块切换度量。根据与第一块对应的块切换度量来确定第一池中的第一块是否应当被转移到第二池。响应于根据与第一块对应的块切换度量确定第一池中的第一块应被转移到第二池，擦除第一块。然后将第一块从第一池转移到与第二池对应的第二RTU队列。第二池中的第二块也被擦除并且从第二池转移到与第一池对应的第一RTU队列。
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公开(公告)号：CN114072774A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080048886.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/00
Abstract: 根据实施例，一种计算机实现的方法包括：维护所述存储系统中的每个存储块的块切换度量。根据与第一块对应的块切换度量来确定第一池中的第一块是否应当被转移到第二池。响应于根据与第一块对应的块切换度量确定第一池中的第一块应被转移到第二池，擦除第一块。然后将第一块从第一池转移到与第二池对应的第二RTU队列。第二池中的第二块也被擦除并且从第二池转移到与第一池对应的第一RTU队列。
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