储存级存储器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114787783B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202080085879.8

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 公开了一种用于在一个或多个存储芯片中存储数据的存储器系统和方法,包括:一个或多个存储卡,每个存储卡具有多个存储芯片,并且每个芯片具有多个管芯,所述管芯具有多个存储单元;存储器控制器,包括转换模块,所述转换模块还包括:具有多个条目的逻辑至虚拟转换表(LVT),所述LVT中的每个条目被配置为将逻辑地址映射到虚拟块地址(VBA),其中所述VBA对应于所述一个或多个存储卡上的一组存储单元,其中所述LVT中的每个条目还包括用于跟踪对所述VBA的写入操作的数量的写入损耗级别计数,以及读取损耗级别计数,用于跟踪针对映射到所述LVT条目的VBA的读取操作的数量。

    储存级存储器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114787783A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202080085879.8

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 公开了一种用于在一个或多个存储芯片中存储数据的存储器系统和方法,包括:一个或多个存储卡,每个存储卡具有多个存储芯片,并且每个芯片具有多个管芯,所述管芯具有多个存储单元;存储器控制器,包括转换模块,所述转换模块还包括:具有多个条目的逻辑至虚拟转换表(LVT),所述LVT中的每个条目被配置为将逻辑地址映射到虚拟块地址(VBA),其中所述VBA对应于所述一个或多个存储卡上的一组存储单元,其中所述LVT中的每个条目还包括用于跟踪对所述VBA的写入操作的数量的写入损耗级别计数,以及读取损耗级别计数,用于跟踪针对映射到所述LVT条目的VBA的读取操作的数量。

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