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发明公开
集成有共享栅极垂直场效应晶体管的电阻式随机存取存储器单元审中-实审

公开(公告)号：CN114846621A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080087723.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 , B.赫克马特肖亚塔巴里 , 安藤崇志

IPC: H01L29/66

Abstract: 一种双晶体管二电阻器(2T2R)电阻式随机存取存储器(ReRAM)结构及其形成方法，包括形成在衬底(102)上的两个垂直场效应晶体管(VFET)，每个VFET包括位于沟道区(302)上方和电介质盖(308)下方的外延区(410)。外延区(410)包括水平延伸超过沟道区(302)的两个相对的三角形突出区。金属栅极材料(602)设置在沟道区(302)上和沟道区(302)周围。金属栅极材料(602)的一部分位于两个VFET之间。ReRAM堆叠体被沉积在与每个VFET的与位于两个VFET之间的金属栅极材料(602)的部分相对的一侧相邻的两个开口(1010)内。直接接触ReRAM堆叠体的外延区(410)的一部分作为ReRAM结构的底部电极。

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