公开(公告)号：CN100468628C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610137543.3

申请日：2006-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·A·曼德尔曼 ,  B·J·格里恩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76245 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转变为提供掩埋绝缘层的氧化层。作为选择，可以将含锗层从多孔层转移到另一个衬底上的绝缘层。转移后，绝缘层掩埋在后一衬底和含锗层之间。

公开(公告)号：CN1956149A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137543.3

申请日：2006-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·A·曼德尔曼 ,  B·J·格里恩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76245 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转变为提供掩埋绝缘层的氧化层。作为选择，可以将含锗层从多孔层转移到另一个衬底上的绝缘层。转移后，绝缘层掩埋在后一衬底和含锗层之间。