公开(公告)号：CN104081506B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201380005894.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B·桃瑞丝 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  小道格拉斯·C·拉图利佩

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/772 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种器件包括绝缘体上半导体(SOI)衬底(110)。SOI衬底(110)上的栅极叠层包括栅极电介质层(185)和栅极导体层(190)。低k间隔物(175)邻近于栅极电介质层(185)。凸起源极/漏极(RSD)区域(160)邻近于低k间隔物(175)。低k间隔物(175)嵌入RSD区域(160)上的层间电介质(ILD)层(165)中。

公开(公告)号：CN104081506A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380005894.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B·桃瑞丝 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  小道格拉斯·C·拉图利佩

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/772 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种器件包括绝缘体上半导体(SOI)衬底(110)。SOI衬底(110)上的栅极叠层包括栅极电介质层(185)和栅极导体层(190)。低k间隔物(175)邻近于栅极电介质层(185)。凸起源极/漏极(RSD)区域(160)邻近于低k间隔物(175)。低k间隔物(175)嵌入RSD区域(160)上的层间电介质(ILD)层(165)中。