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公开(公告)号:CN103137191A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201210444235.0
申请日:2012-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
Abstract: 提供用于对具有s>2个可编程单元状态的相变存储器单元(10)编程的方法和装置。施加至少一个控制信号(VBL,VWL)以产生用于对单元(10)编程的编程脉冲。在编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(VBL,VWL)以根据待编程的单元状态对编程脉冲整形并且产生与用于对所述单元状态编程的相应编程轨迹(TA,TB,TC,TD)对应的多个编程脉冲波形中的所选编程脉冲波形。所选编程脉冲波形对应于包含待编程的单元状态的编程轨迹。
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公开(公告)号:CN103081018B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201180042043.0
申请日:2011-08-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: E·S·埃里弗塞里乌 , A·潘塔齐 , N·帕潘德雷乌 , C·伯津迪斯 , A·塞巴斯蒂安
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C7/1006 , G11C11/5678 , G11C13/004
Abstract: 提供用于确定相变存储器单元的状态的方法和装置。对单元进行多个测量,测量依赖于单元的亚阈值电流比对电压特性。处理测量以获得依赖于电流比对电压特性的斜率的度量。然后根据不同于绝对单元电阻、基本上不受漂移影响的这一度量确定单元的状态。
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公开(公告)号:CN103137191B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201210444235.0
申请日:2012-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
Abstract: 提供用于对具有s>2个可编程单元状态的相变存储器单元(10)编程的方法和装置。施加至少一个控制信号(VBL,VWL)以产生用于对单元(10)编程的编程脉冲。在编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(VBL,VWL)以根据待编程的单元状态对编程脉冲整形并且产生与用于对所述单元状态编程的相应编程轨迹(TA,TB,TC,TD)对应的多个编程脉冲波形中的所选编程脉冲波形。所选编程脉冲波形对应于包含待编程的单元状态的编程轨迹。
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公开(公告)号:CN103081018A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180042043.0
申请日:2011-08-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: E·S·埃里弗塞里乌 , A·潘塔齐 , N·帕潘德雷乌 , C·伯津迪斯 , A·塞巴斯蒂安
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C7/1006 , G11C11/5678 , G11C13/004
Abstract: 本发明提供用于确定相变存储器单元的状态的方法和装置。对单元进行多个测量,测量依赖于单元的亚阈值电流比对电压特性。处理测量以获得依赖于电流比对电压特性的斜率的度量。然后根据不同于绝对单元电阻、基本上不受漂移影响的这一度量确定单元的状态。
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