公开(公告)号：CN104237313A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410271060.7

申请日：2014-06-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 白净卫 ,  E·G·科尔根 ,  C·V·亚恩斯 ,  S·波隆斯基

IPC: G01N27/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/401 ,  G01N27/403 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823871

Abstract: 本发明涉及用于生物检测的纳米通道方法和结构。纳米通道传感器和用于构造纳米通道传感器的方法。示例性方法包括在绝缘层上形成牺牲线、形成电介质层、蚀刻出电极沟槽对、形成电极对以及去除所述牺牲线以形成纳米通道。所述电介质层可以形成在绝缘层上以及所述牺牲线周围。可以在所述牺牲线的相反侧上在所述电介质层中蚀刻出所述电极沟槽对。可以通过用电极材料填充所述电极沟槽，形成所述电极对。可以通过在所述至少一对电极之间形成纳米通道，去除所述牺牲线。

公开(公告)号：CN104237313B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201410271060.7

申请日：2014-06-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 白净卫 ,  E·G·科尔根 ,  C·V·亚恩斯 ,  S·波隆斯基

IPC: G01N27/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/401 ,  G01N27/403 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823871

Abstract: 本发明涉及用于生物检测的纳米通道方法和结构。纳米通道传感器和用于构造纳米通道传感器的方法。示例性方法包括在绝缘层上形成牺牲线、形成电介质层、蚀刻出电极沟槽对、形成电极对以及去除所述牺牲线以形成纳米通道。所述电介质层可以形成在绝缘层上以及所述牺牲线周围。可以在所述牺牲线的相反侧上在所述电介质层中蚀刻出所述电极沟槽对。可以通过用电极材料填充所述电极沟槽，形成所述电极对。可以通过在所述至少一对电极之间形成纳米通道，去除所述牺牲线。