公开(公告)号：CN101083267A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710089328.5

申请日：2007-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阎红雯 ,  理查德·S.·怀斯 ,  宋均镛 ,  张郢 ,  陈自强 ,  杨美基 ,  拉贾劳·加米 ,  穆科施·V.·卡里

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6659

Abstract: 制造CMOS结构的方法使用位于半导体衬底的第一取向区域上方的第一栅极叠层。第二栅极材料层位于第一栅极叠层和横向相邻的所述半导体衬底的第二取向区域上。平面化层位于第二栅极材料层上。对平面化层和第二栅极材料层进行非选择性蚀刻，以形成接近第一栅极叠层的高度的第二栅极叠层。可以在第一栅极叠层上形成蚀刻阻止层。结果得到的CMOS结构可以包括不同的栅极电介质、金属栅极和硅栅极。

公开(公告)号：CN100508194C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710089328.5

申请日：2007-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阎红雯 ,  理查德·S.·怀斯 ,  宋均镛 ,  张郢 ,  陈自强 ,  杨美基 ,  拉贾劳·加米 ,  穆科施·V.·卡里

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6659

Abstract: 制造CMOS结构的方法使用位于半导体衬底的第一取向区域上方的第一栅极叠层。第二栅极材料层位于第一栅极叠层和横向相邻的所述半导体衬底的第二取向区域上。平面化层位于第二栅极材料层上。对平面化层和第二栅极材料层进行非选择性蚀刻，以形成接近第一栅极叠层的高度的第二栅极叠层。可以在第一栅极叠层上形成蚀刻阻止层。结果得到的CMOS结构可以包括不同的栅极电介质、金属栅极和硅栅极。