-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102725665A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080058588.6
申请日：2010-11-18
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02B6/2804
Abstract: 本发明提供一种对多个光波导的布局进行设计的方法，该方法是在平面构成光波导而产生了一个以上的交叉的情况下最佳地设计多个光波导的布局的方法。对于所有的多个波导设定多个默认路径，以使得在输入端成束的多个波导分别被分支为两个以上，某个分支出的波导与其它的分支出的波导形成一个以上的交叉，并且使得分支出的多个波导在输出端的至少两个以上的分离的场所中单独地成束，对在该路径中存在的交叉数进行计数，根据计数出的交叉数，关于某个波导以及从该波导分支后的多个波导的各个波导，设定截面(粗细、形状)的默认值(分支比)。
-
公开(公告)号：CN103777275B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310489341.5
申请日：2013-10-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 沼田英俊
Abstract: 一种提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准。对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列与形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列。并且因此实现绝热耦合。使高精度形成的端头和高精度形成的凹槽用作绝对的定位基准以提供根据凹槽和端头的自对准。在通过光刻图案化的PWG中，采用多个掩模，但是沿着对准基线（用于掩模）进行形成，并且因此相对于误差δx实现高精度。在通过纳米压印图案化的PWG中，也相对于误差δx和δy实现形成上的高精度。
-
公开(公告)号：CN102736319A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210107397.5
申请日：2012-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00 , G06F17/00
CPC classification number: G02B6/0065 , G02B6/004 , G02B6/0043 , G02B6/0061 , G02F1/133606 , G06T11/00
Abstract: 一种信息处理装置、计算方法、程序及存储介质，能够生成均匀地分布的离散图案。本发明的信息处理装置(100)为了计算由在空间内离散配置的多个元素形成的离散图案中该元素的空间配置，根据上述离散图案中配置有元素的区域内的元素密度分布，对于各元素求赋予该各元素的初始位置的密度，在该各元素的初始位置上，设定大小与该密度相对应的用于表示该各元素的排他区域的图形、该图形的移动范围。信息处理装置(100)将各图形的位置作为决定变量，通过使对图形彼此之间的冲突及图形从移动范围的突出施加惩罚的目标函数最小化，计算各图形的位置的最优解，作为结果，输出各图形的位置的最优解而作为元素的空间配置。
-
公开(公告)号：CN102736319B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210107397.5
申请日：2012-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00 , G06F17/00
CPC classification number: G02B6/0065 , G02B6/004 , G02B6/0043 , G02B6/0061 , G02F1/133606 , G06T11/00
Abstract: 一种信息处理装置、计算方法、程序及存储介质，能够生成均匀地分布的离散图案。本发明的信息处理装置(100)为了计算由在空间内离散配置的多个元素形成的离散图案中该元素的空间配置，根据上述离散图案中配置有元素的区域内的元素密度分布，对于各元素求赋予该各元素的初始位置的密度，在该各元素的初始位置上，设定大小与该密度相对应的用于表示该各元素的排他区域的图形、该图形的移动范围。信息处理装置(100)将各图形的位置作为决定变量，通过使对图形彼此之间的冲突及图形从移动范围的突出施加惩罚的目标函数最小化，计算各图形的位置的最优解，作为结果，输出各图形的位置的最优解而作为元素的空间配置。
-
公开(公告)号：CN103777275A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310489341.5
申请日：2013-10-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 沼田英俊
Abstract: 一种提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准。对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列与形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列。并且因此实现绝热耦合。使高精度形成的端头和高精度形成的凹槽用作绝对的定位基准以提供根据凹槽和端头的自对准。在通过光刻图案化的PWG中，采用多个掩模，但是沿着对准基线（用于掩模）进行形成，并且因此相对于误差δx实现高精度。在通过纳米压印图案化的PWG中，也相对于误差δx和δy实现形成上的高精度。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.023 seconds)
