公开(公告)号：CN115004302A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010901.7

申请日：2021-01-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 沈添 ,  吴恒 ,  K.布鲁 ,  张婧芸

IPC: G11C11/00 ,  H01L21/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提出了一种用于改进相变存储器(PCM)单元结构的线性度的方法。所述方法包含：在衬底(10)上方形成底部电极(12)；在所述底部电极(12)上方构造包含多个PCM层的PCM堆叠体(20)，所述PCM层中的每一者具有不同结晶温度；以及在所述PCM堆叠体(20)上方形成顶部电极(32)。结晶温度从底部电极(12)到顶部电极(32)以升序变化。

公开(公告)号：CN116745915A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202180083336.7

申请日：2021-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 吴恒 ,  谢瑞龙 ,  沈添 ,  赵凯

IPC: H01L27/092

Abstract: 本发明的实施例可以包括垂直场效应晶体管(VFET)结构，以及制造该结构的方法，该结构具有第一VFET和第二VFET。第一VFET可以包括在第一源极/漏极外延体(200)和接触体(280)之间的单个衬垫(260)。第二VFET可以包括在第二源极/漏极外延体(225)和接触体(280)之间的两个衬垫(260)。这可以使不同的VFET器件具有适当的接触衬垫匹配。

公开(公告)号：CN115362569A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180021718.7

申请日：2021-02-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 沈添 ,  谢瑞龙 ,  K·布鲁 ,  吴恒 ,  张婧芸

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种相变材料开关，包括设置在金属衬垫上的相变层。栅极介电层设置在所述相变层上。金属栅极衬垫设置在所述栅极介电层上。