公开(公告)号：CN101432860A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015617.9

申请日：2007-04-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 方隼飞 ,  伦道夫·F·克纳尔 ,  马哈德瓦尔耶·克里施南 ,  克里斯琴·拉沃伊 ,  雷内·T·莫 ,  巴拉萨拉曼兰·普拉纳萨蒂哈兰 ,  杰伊·W·斯特拉尼

IPC: H01L21/44 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44

Abstract: 一种用于在通过暴露的电介质区彼此间隔开的至少两个含硅半导体区上形成自对准金属硅化物接触的方法。这样形成的每个自对准金属硅化物接触至少包括镍硅化物和铂硅化物并具有基本光滑的表面，暴露的电介质区基本没有金属和金属硅化物。镍或镍合金沉积之后接着进行低温退火、镍蚀刻、高温退火和王水蚀刻。