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公开(公告)号：CN119395489B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510001044.4
申请日：2025-01-02
Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 张进 , 李明 , 李探 , 张刚琦 , 李梦 , 赵书静 , 赵峥 , 于苗 , 刘思源 , 张岐宁 , 苑宾 , 徐礼强 , 刘钊汝 , 王莹鑫 , 纪卫峰 , 李志闯 , 尹聪琦 , 周邦昊 , 郭勇帆 , 孟羽
Abstract: 本发明公开了一种转折晶闸管的击穿电压获取方法及系统，所述方法包括：通过改变电容器模组的第一容量值，对转折晶闸管进行多次放电施压测试，获取多对第一容量值与对应的钳位电压组成的数据对；基于多对数据对，构建转折晶闸管的保护电压‑电容器容量的关系函数；其中，关系函数用于表征钳位电压与第一容量值之间的映射关系，或者击穿电压与第二容量值之间的映射关系；将预设电容器的容量值作为第二容量值，输入至关系函数中，计算得到预设电容器对转折晶闸管施压时的目标击穿电压。本发明能够在不损毁转折晶闸管的前提下，准确地计算出大电容器对转折晶闸管施压时形成的击穿电压。
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公开(公告)号：CN119395489A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510001044.4
申请日：2025-01-02
Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 张进 , 李明 , 李探 , 张刚琦 , 李梦 , 赵书静 , 赵峥 , 于苗 , 刘思源 , 张岐宁 , 苑宾 , 徐礼强 , 刘钊汝 , 王莹鑫 , 纪卫峰 , 李志闯 , 尹聪琦 , 周邦昊 , 郭勇帆 , 孟羽
Abstract: 本发明公开了一种转折晶闸管的击穿电压获取方法及系统，所述方法包括：通过改变电容器模组的第一容量值，对转折晶闸管进行多次放电施压测试，获取多对第一容量值与对应的钳位电压组成的数据对；基于多对数据对，构建转折晶闸管的保护电压‑电容器容量的关系函数；其中，关系函数用于表征钳位电压与第一容量值之间的映射关系，或者击穿电压与第二容量值之间的映射关系；将预设电容器的容量值作为第二容量值，输入至关系函数中，计算得到预设电容器对转折晶闸管施压时的目标击穿电压。本发明能够在不损毁转折晶闸管的前提下，准确地计算出大电容器对转折晶闸管施压时形成的击穿电压。
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公开(公告)号：CN119890195A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510136807.6
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片抗爆封装结构，包括：精准击穿晶闸管芯片；所述的精准击穿晶闸管芯片的第一表面设有设置有阴极总成，精准击穿晶闸管芯片的第二表面设有设置有阳极总成，阴极总成与阳极总成之间安装有抗爆环，阳极总成、阴极总成与抗爆环形成第一腔体空间；所述的阴极总成与阳极总成之间设置有陶瓷伞裙，阳极总成外焊接有第一阳极焊接环与第一阴极连接环，阴极总成外焊接有第一阴极焊接环，阳极总成、第一阳极焊接环、陶瓷伞裙、第一阴极连接环、第一阴极焊接环、阴极总成组成第二腔体空间，本发明的芯片抗爆封装结构在保证通流能力的同时，在封装内部提供了足够的腔体空间，通过内部放置特殊装置抗爆环，提高了精准击穿晶闸管的抗爆能力。
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公开(公告)号：CN117810270A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311840261.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。
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