基于轮廓斜度的表面粗糙度表征方法在绝缘领域的应用

    公开(公告)号:CN116168786B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310203801.7

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于轮廓斜度的表面粗糙度表征方法在绝缘领域的应用,属于表面粗糙度表征技术领域,采用固体表面轮廓斜率绝对值的算术平均值表征其表面粗糙度,称为轮廓斜度算术平均偏差,用参数Rk表示。计算Rk仅需获得固体材料的表面轮廓,因此现有的任意表面粗糙度测试仪都能用于测量和计算Rk,方便实用,不会增加成本。此外,轮廓斜度算术平均偏差Rk相比现有的表面粗糙度参数,可以较好的反映固体材料表面微观结构,适合在研究表面接触角、沿面闪络、二次电子发射等与材料表面微观结构紧密相关的表界面现象中选用,有利于推动表界面物理、沿面绝缘等相关领域的理论发展与实际应用。

    微波碳氟等离子体射流的绝缘材料表面处理装置及方法

    公开(公告)号:CN115589660A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211277681.7

    申请日:2022-10-19

    Inventor: 汪隆臻 陈思乐

    Abstract: 本发明公开了一种微波碳氟等离子体射流的绝缘材料表面处理装置及方法,涉及大气压低温等离子体应用及表面氟化处理技术领域。该基于同轴谐振腔原理的微波放电装置,所述微波放电装置包括谐振腔,所述谐振腔一端有开口、另一端封闭,所述谐振腔内设置有尖端锐化内导体,所述谐振腔开口端内壁的末端为渐缩结构,所述渐缩结构用于调整谐振腔开口端内壁末端的电场,使其电场逐步增强。该微波碳氟等离子体射流的绝缘材料表面处理装置及方法将传统谐振腔的末端设置渐缩结构,从而增强谐振腔末端的电场强度,从而可以满足在大气环境下的放电能力。

    一种基于轮廓斜度的表面粗糙度表征方法

    公开(公告)号:CN116168786A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310203801.7

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于轮廓斜度的表面粗糙度表征方法,属于表面粗糙度表征技术领域,采用固体表面轮廓斜率绝对值的算术平均值表征其表面粗糙度,称为轮廓斜度算术平均偏差,用参数Rk表示。计算Rk仅需获得固体材料的表面轮廓,因此现有的任意表面粗糙度测试仪都能用于测量和计算Rk,方便实用,不会增加成本。此外,轮廓斜度算术平均偏差Rk相比现有的表面粗糙度参数,可以较好的反映固体材料表面微观结构,适合在研究表面接触角、沿面闪络、二次电子发射等与材料表面微观结构紧密相关的表界面现象中选用,有利于推动表界面物理、沿面绝缘等相关领域的理论发展与实际应用。

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