公开(公告)号：CN109417096A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040949.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社日立制作所 ,  富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小杉亮治 ,  纪世阳 ,  望月和浩 ,  河田泰之 ,  绞缬英典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提高包含功率半导体元件的半导体装置的制造成品率及可靠性。在具有相对于＜11-20＞方向倾斜的晶体主表面的基板上，形成朝x方向延伸、且在与x方向垂直的y方向上彼此分离的多个沟槽DT。而且，通过由填充到沟槽DT内部的半导体层构成的p型支柱区域PC、以及由在y方向上彼此相邻的沟槽DT之间的基板部分构成的n型支柱区域NC，构成超结结构，沟槽DT的延伸方向(x方向)与＜11-20＞方向的角度误差在±θ以内。这里，对于高度h、宽度w的沟槽，由{arctan{k×(w/h)}}/13确定。这里，k至少小于2，优选为小于等于0.9，进而优选为小于等于0.5，更进一步优选为小于等于0.3。

公开(公告)号：CN109417096B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201780040949.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社日立制作所 ,  富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小杉亮治 ,  纪世阳 ,  望月和浩 ,  河田泰之 ,  绞缬英典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提高包含功率半导体元件的半导体装置的制造成品率及可靠性。在具有相对于＜11‑20＞方向倾斜的晶体主表面的基板上，形成朝x方向延伸、且在与x方向垂直的y方向上彼此分离的多个沟槽DT。而且，通过由填充到沟槽DT内部的半导体层构成的p型支柱区域PC、以及由在y方向上彼此相邻的沟槽DT之间的基板部分构成的n型支柱区域NC，构成超结结构，沟槽DT的延伸方向(x方向)与＜11‑20＞方向的角度误差在±θ以内。这里，对于高度h、宽度w的沟槽，由{arctan{k×(w/h)}}/13确定。这里，k至少小于2，优选为小于等于0.9，进而优选为小于等于0.5，更进一步优选为小于等于0.3。

公开(公告)号：CN115812255A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202180047091.2

申请日：2021-03-11

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 增田健良 ,  小杉亮治

IPC: H01L29/78

Abstract: 有源区域包含第一超结层和元件层。第一超结层交替地具有第一区域和第二区域。周边区域包含第二超结层、终端层和绝缘层。第二超结层交替地具有第三区域和第四区域。终端层与第二超结层接触并设置在第二超结层之上，并且交替地具有第五区域和第六区域。第五区域与第三区域对应地设置，并且第六区域与第四区域对应地设置。第六区域的杂质浓度大于第五区域的杂质浓度，并且为第五区域的杂质浓度的68倍以下。