公开(公告)号：CN108026663B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201680056202.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 江藤数马 ,  加藤智久 ,  周防裕政 ,  德田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

Abstract: 一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN108026663A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056202.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 江藤数马 ,  加藤智久 ,  周防裕政 ,  德田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN110872731B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201910802908.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 周防裕政 ,  江藤数马 ,  加藤智久

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  C30B31/02 ,  C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 提供在掺杂有施主和受主这两者的构成中贯穿位错密度小、结晶性比以往提高了的n型4H‑SiC单晶基板。本发明的n型4H‑SiC单晶基板，作为施主的N元素的浓度和作为受主的B元素的浓度两者均为3×1018/cm3以上，并且，贯穿位错密度小于4000个/cm2。

公开(公告)号：CN109715867A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057496.8

申请日：2017-09-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 江藤数马 ,  周防裕政 ,  加藤智久

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203

Abstract: 本公开提供一种n型SiC单晶基板，该n型SiC单晶基板是将施主和受主共同掺杂进去的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×1019/cm3。

公开(公告)号：CN109715867B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201780057496.8

申请日：2017-09-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 江藤数马 ,  周防裕政 ,  加藤智久

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203

Abstract: 本公开提供一种n型SiC单晶基板，该n型SiC单晶基板是将施主和受主共同掺杂进去的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×1019/cm3。

公开(公告)号：CN110872731A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910802908.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 周防裕政 ,  江藤数马 ,  加藤智久

IPC: C30B31/02 ,  C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 提供在掺杂有施主和受主这两者的构成中贯穿位错密度小、结晶性比以往提高了的n型4H-SiC单晶基板。本发明的n型4H-SiC单晶基板，作为施主的N元素的浓度和作为受主的B元素的浓度两者均为3×1018/cm3以上，并且，贯穿位错密度小于4000个/cm2。