公开(公告)号：CN108026663B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201680056202.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 江藤数马 ,  加藤智久 ,  周防裕政 ,  德田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

Abstract: 一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN108026663A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056202.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 江藤数马 ,  加藤智久 ,  周防裕政 ,  德田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN112626618A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011015571.4

申请日：2020-09-24

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 镰田功穗 ,  土田秀一 ,  星乃纪博 ,  德田雄一郎 ,  冈本武志

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/00

Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。

公开(公告)号：CN116791195A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310782655.8

申请日：2020-09-24

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 镰田功穗 ,  土田秀一 ,  星乃纪博 ,  德田雄一郎 ,  冈本武志

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。

公开(公告)号：CN112626618B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202011015571.4

申请日：2020-09-24

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 镰田功穗 ,  土田秀一 ,  星乃纪博 ,  德田雄一郎 ,  冈本武志

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/00

Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。