公开(公告)号：CN117413366A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280037917.1

申请日：2022-04-28

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 冈本光央 ,  八尾惇 ,  佐藤弘 ,  原田信介

IPC: H01L29/78

Abstract: 半导体装置在层叠半导体基板SB上具备功率晶体管UMOS、n型晶体管NMOS及p型晶体管PMOS，层叠半导体基板SB在n型半导体基板SUB上层叠有n型的漂移层DL、p型的埋入基底层BBL及p型的基底层BL，功率晶体管UMOS具有贯通基底层BL的沟槽栅极电极EGU，p型晶体管PMOS形成于基底层BL内形成的n型阱区NW内，n型晶体管NMOS形成于在基底层BL内或n型阱区内进一步形成的p型阱区内，p型晶体管PMOS的埋入沟道区域EBC的p型杂质浓度与基底层BL的p型杂质浓度相等。

公开(公告)号：CN118369771A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280080937.7

申请日：2022-11-22

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 中岛昭 ,  原田信介 ,  儿岛一聪

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 在使用氮化镓系的高电子迁移率晶体管作为功率器件的情况下，抑制达到器件破坏的破坏模式。设计为如下方式，与HEMT反向并联连接二极管，在向漏极130施加的漏极电位与向源极120施加的源极电位之差即漏极‑源极间电压超过HEMT的耐压之前，该反向并联连接的二极管发生雪崩击穿。